摘要：基于硅基65 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺,设计了一款工作频率为91.6~93.2 GHz的压控振荡器(Voltage Control Oscillator,VCO)。使用基于变压器结构的高品质因子电感改善了VCO电路的相位噪声,并采用金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)开关阵列和变容管共同实现了该VCO电路的频率调谐。VCO的输出信号通过电感的耦合线圈输出,降低了电路版图布版难度。仿真实验结果表明,提出的VCO电路的功耗为13.6 mW,调谐范围为1.6 GHz,输出功率大于-14.5 dBm,偏离振荡频率10 MHz处的相位噪声优于-107.7 dBc/Hz。

摘要：基于切比雪夫带通滤波器原型分析,设计了一款工作频率在55.5~63.1 GHz基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)带通滤波器(Bandpass Filter,BPF)。加载2组互补开口谐振环(Complimentary Split Resonant Ring,CSRR),采用其带阻特性在带外产生传输零点,获得了更好的带外抑制效果,改善了滤波器的矩形系数。采用集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺加工了设计的带通滤波器,实测结果表明,滤波器通带内最小插入损耗(Insertion Loss,IL)为-2.7 dB,通带内回波损耗(Return Loss,RL)小于-16.3 dB,面积为3.4 mm×1.4 mm。