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转底炉法制备细晶粒铜最佳条件的研究
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《材料导报（纳米与新材料专辑）》2008年 第2期22卷 212-214页
作者：吴中亮 马瑞新 艾琳 汪春平 孙鹏 张亚东 康勃 王目孔北京科技大学冶金与生态工程学院北京100083 金川镍钴研究设计院金昌737102 
作为半导体用的铜靶材,其晶粒大小严重影响溅镀薄膜的品质,靶材晶粒的细化技术成为关键。依据转底炉法原理制备了一种片状铜,并对其晶粒尺寸的变化进行了研究,通过分析发现:坩埚底孔直径越小,底转盘转速越快,底转盘传热越好;在底转盘冷...
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