摘要：针对传统片外电容型LDO噪声较差的问题,基于180nm BCD工艺,设计了一款具有折返电流限保护功能的低噪声LDO电路。基准与误差放大器间插入一阶RC低通滤波器,可滤除基准输出高频噪声,并取消传统LDO电路中的反馈电阻,从而降低噪声。通过折返电流限保护电路实现限流和折返功能。合理设置短路电流,有效避免LDO在启动或恢复过程中进入锁定状态。仿真结果表明,LDO在输入电压为4~5V时可稳定输出2V电压,最大带载电流为70mA,过流限为120mA。典型情况下的噪声功率谱在1kHz处为12.7nV/■,RMS噪声为3.6μV。

摘要：采用0.18μm BCD工艺,设计了一种用于宽输入Buck的多电源轨电路。该电路由一条闭环电源轨和多条开环电源轨组成。闭环电源轨由无需预降压的宽输入LDO提供。通过电荷泵箝位和辅助箝位电路,在自举电容恒流充电时,可将开环电源轨箝位在几个固定的电位。电路仿真表明,在5~45 V的输入条件下,闭环电源轨都能稳定输出3.996 V的电压,线性调整率为0.62μV/V。在上下管交替导通时,开环电源轨VDD0被箝位在6.35~6.72 V。在负载阶跃时,开环电源轨V_(DD1)在4.084~4.167 V内变化。