限定检索结果

检索条件"作者=吴勃庆"
3 条 记 录,以下是1-10 订阅
视图:
排序:
一种含BJT缓冲级的高性能运算放大器的设计
收藏 引用
《通信电源技术》2017年 第4期34卷 161-162页
作者:薛晓磊 吴勃庆西安电子科技大学陕西西安710071 
与普通两级差分运算放大器相比,折叠式共源共栅运放能够提供高增益、共模抑制比、电源抑制比,还能够提高带宽。基于0.35μm BCD工艺设计了一种折叠式共源共栅差分运放,要求电源电压为3.3 V^5.5 V,仿真结果表明,该电路在3.3 V电源下,各...
来源:详细信息评论
一种电流模DC-DC芯片中低延时电流比较器的设计
收藏 引用
《通信电源技术》2017年 第4期34卷 96-97页
作者:吴勃庆 薛晓磊 陈锡明西安电子科技大学陕西西安710071 
文中设计了一种应用于电流模DC-DC芯片的低延时电流比较器。其主要作用是将电感的峰值电流与所需电流进行比较,输出控制信号,以达到调节输出电压的目的。利用0.35μm BCD工艺HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行仿真模拟,结果表明...
来源:详细信息评论
宽输入范围低线性调整率带隙基准的设计
收藏 引用
《通信电源技术》2017年 第4期34卷 87-89,92页
作者:陈锡明 吴勃庆 邓超 康瑞西安电子科技大学电路CAD研究所陕西西安710071 
文中提出了一款基于0.35μm BCD工艺的宽输入范围带隙基准。与传统带隙基准不同,所提出的带隙基准使用基准输出为运算放大器提供偏置,采用耐高压的LDMOS器件,设计实现了一款宽输入范围低线性调整率的带隙基准。利用Spectre对该电路进行...
来源:详细信息评论
聚类工具 回到顶部