摘要：设计了一种基于纳米孔结构的超高压石墨烯压力传感器。由于氮化硼的六方晶体结构与石墨烯的晶体结构高度相似,该传感器采用氮化硼/石墨烯/氮化硼的石墨烯复合异质敏感薄膜作为压力传感器的敏感材料,利用石墨烯薄膜材料的压阻效应对压力进行检测。为保证传感器在400 MPa的压力载荷下对压力精准的检测,采用数学理论模型计算出不同孔径的纳米孔上石墨烯复合异质薄膜的应变大小,通过有限元仿真软件对石墨烯圆形薄膜的压力进行仿真,得到了圆形薄膜的最优半径。可为超高压石墨烯压力传感的结构设计和性能优化提供一定参考。

摘要：针对石墨烯压力传感器的高气密性封装要求,设计了一种应用于石墨烯压力传感器的Au-Si键合工艺。采用Au-Si键合工艺只需要在传感器的密封基板表面生长一层100 nm的SiO_(2),并在生长的SiO_(2)表面溅射金属密封环,密封环金属采用50 nm/300 nm的Ti/Au。使用倒装焊机在380℃以及16 kN的压力环境下保持20 min完成传感器芯片与基板的键合,实现石墨烯压力传感器的气密性封装。键合完成后对键合指标进行表征测试,平均剪切力可达19.596 MPa,平均泄露率为4.589×10^(-4) Pa·cm3/s。通过对键合前后石墨烯传感器芯片电阻检测,电阻输出平均值变化了3.36%,键合前后电阻输出相对稳定。对传感器进行静态压力检测,其灵敏度>0.3 kΩ/MPa,非线性<1%FS。实验结果表明,石墨烯压力传感器采用Au-Si键合工艺进行气密封装不仅工艺简单,且强度高。

摘要：针对石墨烯MEMS高温压力传感器的高气密要求,设计了一种压膜结构压力传感器,并利用Au-Au键合完成压力传感器的封装。键合前,样品表面采用Ar等离子体预处理,随后在N_(2)氛围下,利用倒装焊机在1.6 kN压力、300℃温度下键合30 min完成键合工艺。对键合指标进行表征测试,发现器件的最小剪切强度为10.87 MPa,最大泄漏率为9.88×10^(-4) Pa·cm^(3)/s,均满足GJB 548B-2005的要求。在300℃下高温存储(HTS)10 h后,器件的平均剪切强度和泄漏率变化不大,通过传感器压力静态测试发现石墨烯器件在0~60 MPa压力量程内具备高重复性,证明石墨烯在键合过程和高温存储实验后没有变性。实验结果表明Au-Au键合可以完成石墨烯MEMS高温压力传感器高气密封装。

摘要：为了满足在恶劣环境下爆炸冲击波压力的测量需求,提出了一种结构为上层“膜+凸柱”与下层“十字梁”的高频响MEMS石墨烯压力传感器。使用ANSYS workbench软件对该结构进行分析,结果表明,其频响为1.34 MHz,在满量程60 MPa情况下,十字梁根部位置处石墨烯的应变最高可达0.259%。最后,使用方块电阻计算方法对石墨烯电阻值进行预估。为高频响石墨烯压力传感器的设计提供了一定的可行性的结构方案。

摘要：介绍了用于提高智能温度测控系统可靠性的几种软硬件结合的在线冗余技术的工作原理 ,给出了几种适合系统实际的软件、硬件抗干扰措施。实践证明这些技术可有效地提高智能温度测控系统的可靠性。

摘要：双脉冲激光诱导击穿光谱(DP-LIBS)技术是物质分析领域中的一种新兴分析技术,两束激光间的延时需要达到纳秒级精度方可满足技术应用需求。以标准的DP-LIBS激光器击打节奏为起点开展研究,确定最小延时。基于现场可编程门阵列(FPGA)开展系统整体设计:在Verilog-HDL语言环境下构建FPGA仿真程序架构;以EP4CE10E22C8N作为主芯片开展硬件设计,绘制PCB图,得到焊接电路板;基于C#的Winform框架进行上位机控制软件开发,通过矩阵按键的标签名称进行数字排序,以实现波形显示及输出。经评测,系统能够准确接收上位机指令产生相应的脉冲波形输出,脉冲间隔最小可低至10ns,软硬件协同处理效率高,满足DPLIBS实际应用需求。

摘要：针对某大化肥101 J空压机的扩容节能改造,在总结多次成功改造经验的基础上,给出了101 J离心式压缩机具体改造原则、措施及方案,并对其进行了一系列的设计计算与分析。

摘要：以保证大型转动机组安全、稳定、长周期、满负荷、优质运行为目的,针对机组实际运行可能出现的故障、事故,研究并开发了大型转动机组安稳长满优运行软件包,并获得了应用。