摘要：基于TSMC 180 nm CMOS工艺,提出了一种振荡频率为2~3 GHz的宽频率范围、低相位噪声的单子带压控振荡器(VCO)。采用双平衡吉尔伯特混频结构,将单子带5~6 GHz压控振荡器与固定频率3 GHz压控振荡器进行下混频,可得到振荡频率为2~3 GHz的单子带压控振荡器,实现相对带宽从18.18%到40%的展宽。其中5~6 GHz单子带压控振荡器采用互补交叉耦合结构,更易达到起振条件,采用两组可变电容的并联形式以提高调谐曲线的线性度,拓宽压控振荡器的输出频率调谐范围。通过芯片测试验证,在1.8 V电源电压下,调谐电压变化范围为0.6~2.8 V时,实际输出频率范围为1.85~3 GHz,最大调谐灵敏度为1000 MHz/V,2 GHz频点处相位噪声为-123.2 dBc/Hz@1 MHz,芯片尺寸为1.2 mm×0.7 mm。

摘要：设计了一种基于电流模逻辑结构(CML)具有宽频率覆盖范围的二分频器。针对CML电路无法在低频段稳定工作的问题,在传统的CML电路结构中加入了偏置电路,提高了电路的响应速度;并加入了差分结构的电容阵列,在高频段采用较低的输出电容负载,在低频段采用较高的输出电容负载,拓宽了分频器的工作频率范围;同时减少了开关管的使用,有利于降低芯片的面积和功耗。基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺进行了仿真验证。仿真结果表明,在电源电压为1.8 V,输入频率范围200 MHz~11 GHz的情况下,二分频逻辑功能正确,可实现宽的频率覆盖范围。

摘要：现如今在视觉领域中卷积神经网络模型在确保识别率不大幅降低的前提下正朝着更低的计算量;更少的参数;更小的存储占用的轻量化趋势发展。文章列举了近年来经典的轻量级卷积神经网络,总结归纳了各个网络的特点和创新之处,为后继相关学者提供参考。

摘要：针对功率回退时主路功率放大器不能有效进入饱和状态导致Doherty功率放大器回退效率低的问题,通过降低主路功率放大器的供电电压,实现了高回退效率,同时增大辅路功放管的尺寸弥补了电路的总输出功率。基于0. 1μm GaAs pHMET工艺,设计了一个26 GHz两级非对称的Doherty功率放大器。仿真结果表明,在26 GHz时增益达到16 dB,功放的饱和输出功率为27. 4 dBm,峰值功率附加效率(PAE)为40. 7%,输出功率回退7 dB时PAE仍达到38%,与传统Doherty功率放大器相比具有更高的回退效率,版图的尺寸为3. 2 mm×2. 2 mm。

摘要：采用0.25μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺设计了一款X波段六位数字移相器,移相器采用高低通和全通网络结构,通过控制不同移相单元的状态从而形成64种移相状态。运用了提高相移精度和抑制级联散射的方法,6个移相单元按照180°/45°/11.25°/5.625°/22.5°/90°的顺序级联。在8～10 GHz频率范围内,数字移相器的64种状态的相位均方根误差小于1.6°,各态幅度均衡度小于0.7 dB,插入损耗低于5.5 dB,输入输出端口的回波损耗均优于15 dB。除此之外,芯片尺寸为2.2 mm×0.7 mm,可广泛用于相控阵雷达与电子对抗等系统。

摘要：基于台积电0.18μm工艺,设计一款频率为0～100 MHz的宽带可编程增益放大器(programmable gain amplifier,PGA)。采用闭环反馈结构,主要设计运算放大器(operational amplifier,OPA)、电阻反馈网络、2-4译码器和直流失调校准电路(direct current offset cancellation,DCOC)4部分电路。仿真结果表明:该PGA电路的动态范围为0～18 dB,步进为6 dB,带宽为100 MHz,噪声系数(noise factor,NF)低于15 dB,芯片面积为247μm×180μm。

摘要：采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计一种低功耗电容交叉耦合低噪声放大器。利用电容交叉耦合结构使电路在不损失功耗的情况下提高电路有效跨导,采用宽增强技术有效的改变电路零极点位置以拓宽电路工作带宽。仿真结果表明,该低噪声放大器工作带宽为6.8GHz,电路噪声系数为2.8dB,功耗为5.35mW,满足LNA电路的性能指标要求。

摘要：基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一款宽带压控振荡器。该压控振荡器采用互补型交叉耦合结构,应用6位开关电容阵列实现宽调谐范围。通过选取高品质因子值电感、应用二次谐波谐振滤波技术、改进开关电容阵列结构,实现对相位噪声性能的优化。测试结果表明,在温度为27℃、电源电压为1.8V条件下,该压控振荡器频率调谐范围为3.26GHz～5.27GHz,在偏离中心频率1MHz处的相位噪声为-121.3dBc/Hz。

摘要：应用ANSYS有限元分析软件对材料特性和母线形状参数对变幅杆主要性能的影响进行了分析,并结合铝合金铸造的特点,设计了一种适应于铝合金铸造用的全波长双阶梯形级联变幅杆。应用该软件对变幅杆进行模态分析,并对加工出来的双阶梯形变幅杆进行了相关试验。结果表明,采用该方法设计的变幅杆,试验所得性能参数值与仿真值达到一致。实际生产表明,该双阶梯型变幅杆各项参数都达到了设计要求,且具有耐腐蚀、抗疲劳,强稳定性等特点。

摘要：利用等效电路建立了铝合金铸造用超声换能系统的阻抗模型,在15～28 kHz范围内分析了常温和铸造条件下系统纵振频率和阻抗。在常温和铸造条件下,系统分别有2、3阶纵振频率;在铸造条件下,1阶频率对应的阻抗增加明显。利用Agilent4294A阻抗分析仪做了扫频测量,结果与此相符。