摘要：针对不同场合的TFTLCD显示屏,设计了一种工作模式可选的栅驱动芯片。芯片具有输出左移/右移控制、输入输出端口选择、输出模式选择、整体和分段清零等功能,并且各个功能之间可相互配合。通过VSEL1,VSEL2,VOE,R/L四个控制信号的配合使用,实现了一组简单高效的控制电路,完成上述的全部功能。最后给出整体控制电路和芯片工作时序。

摘要：基于SOC应用,采用CSMC 0.5μm DPDM CMOS工艺,设计了一种恒定跨导的Rail-to-Rail CMOS运算放大器。该运算放大器采用平方根电路恒定输入级总跨导;同时运用Class AB推挽电路作输出级,获得高驱动能力和低谐波失真。在5 V单电源工作电压、30 pF负载电容和10 KΩ负载电阻情况下,经过Hspice仿真,运放的直流开环增益达到98 dB,相位裕度为65°,输入级跨导最大偏差低于17%。

摘要：基于Σ ΔA/D转换的脉冲调制控制技术是将过采样Σ ΔA/D转换技术与PWM控制技术结合在一起的一种新型变频控制技术.文中对其在三相变频控制中的应用原理进行了详细介绍.并对输出基波的V/F变化作了理论分析,同时还给出了三相ΔPWM调制器的设计思路,对影响系统性能的几个重要参数也给出了设计参考公式.设计了一种应用电路,并对其输出用EDA软件Pspice进行了模拟仿真,结果显示该技术可以应用在三相变频控制领域中,有广阔的应用前景.

摘要：本文介绍了电流控制型开关电源中峰值电流控制模式的原理及优点,指出了功率管的占空比大于50%时必须进行斜坡补偿,否则电路不能稳定工作。分析了斜坡补偿的基本原理和设计问题,给出了补偿电路。

摘要：文章介绍了一种适用于10位40MS/s流水线A/D转换器的采样/保持(S/H)电路。整个电路的设计基于TSMC的0.25um工艺,在电源电压为2.5V的情况下,采样信号全差分幅度为1V。通过采用全差分flip-around结构,而非传统的电荷传输构架,因而在同等精度下,大大降低了功耗。为了达到高精度,高采样速率的要求,该S/H电路采用高增益,宽带宽的的两级运算放大器。

摘要：采用二级温度补偿对传统电流模式结构的带隙基准电压电路进行改进,基于chartered 0.35um cmos工艺,使用cadence spectre进行仿真,结果表明工作电压为2v时,电路可以输出100mv—1.8v的宽范围电压;在-20-120温度范围内,平均温度系数约3ppm/°C。

摘要：分析了当今在PWM方面应用比较流行的一款芯片的主要工作原理,讨论了芯片最重要部分电路的具体电路图以及在此基础上进行的重新设计。

摘要：分析了准浮栅晶体管PMOS的工作原理、电学特性和等效电路,设计了一种电路结构简单的共模反馈电路(CMFB),实现了一个低压低功耗的差分运算放大器。采用Chrt 0.35umCMOS工艺库,在Hspice下仿真结果表明:在电源电压为1.5V时,运放的增益为74.5dB,单位增益带宽为40.5MHz,相位裕度为650,静态功耗为1.2mW。

摘要：基于标准0.6umCMOS工艺,设计依据在亚阈值区工作的一阶温度补偿电路,采用VPTAT电压驱动曲率校正电路,对一阶温度补偿电路进行高阶温度补偿,获得了一种电路结构简单,性能较好的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-150范围内,平均温度系数约9.9ppm/oC;工作电压为1.4V。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。

摘要：基于Chrt 0.35μmCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,设计了一个类似IP2TAT电流产生电路,获得了一个电路结构简单,性能更佳的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-110范围内,平均温度系数约6ppm/℃,最低工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。