摘要：文章阐述了用精确的GaN Angelov模型设计了一款L波段400W内匹配率放大器.选用SiC衬底的GaN器件是为了获得大功率输出以及高效率性能.为了精确设计放大器,采用脉冲I-V测试和多偏置的S参数测试建立起高压GaN大信号模型.采用模型设计的GaN放大器输入输出电路集成在17.4mm×24mm的封装管壳里.最终采用单枚55mm栅宽GaN管芯设计的放大器在48V漏压,100μs脉宽,10%占空比偏置下在1.2~1.4GHz输出功率大于400W,功率增益大于15dB,最高功率附加效率达到81.3%,这是国内L波段400W微波功率放大器的最高效率报道,验证了模型的准确度,实现了极好的电路性能.

摘要：报道了一款高功率高效率的GaN功率管及其匹配电路的设计与实现。功率管内部采用预匹配设计,外部电路采用同轴巴伦线和推挽电路来匹配。测试结果表明,在415~485MHz、工作电压50V、工作脉宽300μs,工作比10%的条件下,全带内实现1 500 W输出,附加效率大于71%,器件抗驻波比大于5∶1。

摘要：基于高击穿的GaN HEMT工艺,报道了一款高功率高效率的GaN功率管及其匹配电路的设计与实现。对功率管进行预匹配,并采用同轴巴伦线和推挽电路完成对功率管的输入输出电路匹配设计,通过4胞高效合成及热沉设计,在工作电压60 V、工作脉宽300μs、工作比10%的条件下,实现410~485 MHz全频带2500 W功率输出、附加效率76%以上的高效高功率功率管,器件在驻波比大于5∶1时仍稳定工作。

摘要：大功率GaN HEMT器件在工作时较高的热流密度引发器件高温,而高温会显著影响器件性能及可靠性。从不同器件结构设计出发,结合器件热量传递理论,建立了器件热阻模型;采用高速红外热像仪试验分析了器件结构对GaN HEMT器件稳态热特性的影响,定量给出了不同总栅宽、不同单指栅宽、不同栅间距在不同功率密度下的稳态温升。相关结果可用于研发阶段器件结温的快速评估。

摘要：研制了一款工作在Ku波段的大功率GaN功率放大器,功率放大器采用4个栅宽为9.6 mm的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行功率合成,总栅宽为38.4 mm。以提取的小信号S参数和大信号负载牵引结果为依据,采用ADS仿真软件进行匹配电路仿真设计。该GaN功率放大器在14.5~15.0 GHz频率范围内的输出功率(Pout)大于200 W,功率增益(Gp)大于7 d B,最高功率附加效率(ηPAE)达到43%。

摘要：针对间歇式化学反应釜滞后大、时变、非线性、反应机理复杂等特性,结合生产实际对PID控制算法进行了智能化处理,设计了由PLC和上位计算机构成的反应釜温度控制系统,取得了比较满意的效果。

摘要：研制了一款C波段连续波大功率GaN内匹配功率管。设计采用4个12 mm栅宽GaN高电子迁移率(HEMT)管芯合成输出,功率管总栅宽4 mm×12 mm。利用负载牵引(Load-pull)和大信号建模技术提取GaN管芯阻抗,根据管芯阻抗进行匹配电路设计。电路设计充分考虑合成损耗等因素的影响,研制的连续波GaN内匹配功率管在4.4~5.0 GHz频段内输出功率200 W以上,功率增益10 d B以上,功率附加效率超过50%。

摘要：针对电压无功调节手段落后问题,设计了变电站无功自动调节装置。该装置从调节手段突破,改电容器投切为调节电容器二端电压改变输出容量,解决了电容器运行中过电压、涌流等问题。