摘要：对分布式放大器的工作原理和人工传输线的阻抗特性进行了分析,在此基础上采用0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种具有三级增益单元的分布式功率放大器.放大器中的增益单元采用了具有峰化电感的共源共栅放大器结构,并通过增大人工传输线的终端负载和优化片上电感的取值使放大器输入和输出端口具有良好的阻抗匹配,同时有效地提升了分布式功率放大器的增益和输出功率.芯片测试结果表明,该放大器3dB带宽达到12GHz(2.5~14.5GHz),3~14GHz频率范围内增益为9.8dB,带内增益平坦度为±1dB,输出功率为4.3~10.3dBm,功率附加效率为1.7%~6.9%.

摘要：基于SMIC 0.18 CMOS工艺,设计了一个工作频率为5.8 GHz的差分低噪声放大器。针对低功耗电路的设计要求,通过在输入级增加电容实现了限定功耗下的输入和噪声同时匹配。仿真结果表明,设计的低噪声放大器具有良好的综合性能指标。增益为22.47 d B,噪声系数为1.167 d B,输入反射系数(S11)、输出反射系数(S22)、反向隔离度(S12)分别为-24.74 d B、-17.37 d B、-31.52 d B。在1.5 V电源电压下,功耗为17.3 m W。

摘要：基于T型匹配网络对分布式放大器的阻抗特性进行了分析,并设计了一个三级分布式功率放大器.设计中采用非均匀的T 型匹配网络结构使得与栅极和漏极相连的人工传输线阻抗逐级渐变,实现阻抗匹配的 同时提升了放大器的输出功率及效率.测试结果表明：该放大器在频带3 - 16.5 GHz带宽内平均增益为6dB,输入回波损耗小于-9.5 dB,输出回波损耗小于-8.5 dB;2 -16GHz频带内的1 dB增益压缩点处输出 功率达到3.6 -10. 6 dBm,功率附加效率为2%-12. 5%.电源电压为1.8 V 时放大器功耗为81 mW,芯片面积为0.91 mm×0.45 mm.

摘要：基于0.18μm CMOS工艺,设计了一个新型的低噪声放大器。在该放大器中,采用带有级间匹配的共源共栅结构。采用级间匹配结构实现了低功耗高增益。为了降低芯片面积,使用LC并联网络代替传统的大电感。仿真结果表明,在5.8 GHz的工作频率下,功率增益大约为10.3 d B,而反向隔离度低于-16 d B。同时具有比较好的输入输出匹配。除此之外,还获得了比较小的最小噪声系数和比较好的线性度。在1.5 V的供电电压下,电路的静态功耗为12.7 m W。

摘要：采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了一个低电压低功耗的低噪声放大器(Locked Nucleic Acid,LNA)。分析了在低电压条件下LNA的线性度提高及噪声优化技术。使用Cadence Spectre RF仿真表明,在2.4 GHz的工作频率下,功率增益为19.65 d B,输入回波损耗S11为-12.18 d B,噪声系数NF为1.2 d B,1 d B压缩点为-17.99 d Bm,在0.6 V的供电电压下,电路的静态功耗为2.7 m W,表明所设计的LNA在低电压低功耗的条件下具有良好的综合性能。

摘要：针对传输线理论在分布式放大器设计的应用中存在的问题进行了讨论,并基于阻抗匹配的思想,采用0.18μm CMOS工艺设计了一种均匀式宽带分布式放大器。设计中采用了峰化电感以提高放大器的增益,并通过优化人工传输线的吸收负载和片上匹配电感提升了分布式放大器的增益、带宽和输出功率。仿真实验结果显示该放大器在2-14 GHz频率范围内增益为11.5 dB,带内增益平坦度为±0.5 dB,输入回波损耗小于-11.7 dB,输出回波损耗小于-8.8 dB,3 dB带宽内输出功率为4-10.5 dBm,PAE效率为4.1%-18.3%,表现出了良好的综合性能。

摘要：单片微波功率放大器在无线通信以及微波测试设备等众多领域中有着广泛的应用,而分布式功率放大器是实现宽带功率放大器的有效方法。文中介绍了分布式放大器的基本工作原理,在此基础上对国内外分布式功率放大器的研究现状进行了综述,指出了目前分布式功率放大器的几种主要研究方向和改进技术,并对现有的设计理论和方法进行了讨论与分析,最后给出了结论。

摘要：随着我国市场经济体制的不断完善,高新技术产业对高素质研发类工程师的需求越来越大,而工程型硕士研究生作为未来工程师的后备力量,其培养质量关系着高新技术产业的发展和国民经济的振兴。以集成电路设计工程师的培养为例,对工程型硕士研究生培养中的若干问题进行了探讨,包括硕士研究生的理论教学,责任意识、时间意识和表达能力等工程素质的培养,以及创新能力的培养。

摘要：对T型匹配网络构成的人工传输线的阻抗匹配特性进行了讨论,在此基础上,采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种宽带分布式功率放大器。设计中,通过减小栅极人工传输线的吸收负载,在放大器输入端获得了良好的阻抗匹配;通过在放大器输出端增加1个L型阻抗匹配网络,实现了输出端阻抗匹配,同时有效提升了分布式放大器的增益和输出功率。仿真结果显示,该放大器3dB带宽达到17GHz,2-18GHz频率范围内,增益为10.5dB,带内增益平坦度为±0.5dB,输出功率为4.9-9.85dBm,PAE效率为5%-15.6%,表现出良好的综合性能。

摘要：基准电压源是集成电路系统中的重要组成部分,其性能直接影响系统的稳定性和鲁棒性。温度系数是基准电压源的重要性能指标之一,而高阶温度补偿技术是降低基准源温度系数的有效方法。基于标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种低温度系数的带隙基准电压源,采用电流模结构的带隙基准电路实现了低电源电压工作,并通过VBE线性化补偿技术实现了在低压下的高阶温度补偿。所设计的CMOS带隙基准电压源在-40~125℃的范围内,温度系数为6.855ppm/℃,低频时电源电压抑制比达到了-95 dB,而电源电压在0.6~1.8 V范围内变化时线性调整率仅为0.2%。仿真实验结果表明,该电路结构能够有效提升带隙基准电压源的温度性能。