摘要：为了有效降低长计数器中子探测能量下限并解决5MeV以上能量响应急剧下降的问题,利用蒙特卡罗程序MCNP5分析了长计数器各结构参数对能量响应的影响。通过使用不同含氢量的慢化体、添加中子吸收材料及添加补偿材料相结合的方法,优化设计了一种长计数器。结果表明:使用含氢量较低的中子慢化材料聚苯乙烯可提高低能中子能量响应;采用Cd作为中子吸收材料可解决能量响应局部过高的问题;采用Pb作为补偿材料可提高高能中子能量响应。设计优化的长计数器在1eV^15MeV能量范围内能量响应最大相对偏差约为10.1%。

摘要：为开展闪电高能辐射观测研究,本文设计了人工引雷X射线爆发事件的观测系统,并完成电磁屏蔽性能测试以及能量刻度实验。基于放射性测量的统计学原理导出人工引雷X射线爆发信号的实时甄别算法。在国内首次观测到人工引雷产生的X射线爆发现象,四次成功的人工引雷实验中观测到三次X射线爆发信号。

摘要：中子个人剂量监测对核电厂、核动力装置、研究堆和高能加速器等核设施工作人员具有重要意义。光释光技术具有读出速度快和多次重复读取等优点,是中子个人剂量监测的重要发展方向。本文设计了一种双面沟槽型^(6)LiF/α-Al_(2)O_(3):C光释光中子探测器(DS-TSOSLND),采用蒙特卡罗程序Geant4计算分析了不同沟槽宽度、深度和沟槽比对探测器性能的影响规律,探索其中子探测机理。基于Geant4模拟计算结果,结合目前α-Al_(2)O_(3):C晶体微结构加工工艺条件,成功制备了DS-TSOSLND。^(137)Cs源和重水慢化^(252)Cf中子源测试结果表明,新研制的DS-TSOSLND中子探测阈为10.3μSv,0.05~20 mSv内其中子剂量响应呈线性关系,在中子个人剂量监测领域具有广阔的应用前景。

摘要：利用纳米材料制备方法将激活剂Ag^+掺杂于ZnS材料中制备了粒径更小的闪烁材料,进一步提高了该闪烁材料的发光效率。将新制备的闪烁材料用于辐射探测器的设计并对热压成型工艺进行优化,以模压温度、模压压力、模压时间为影响因素设计了系列对比实验并将探测效率和外观两个指标作为判断探测器品质的依据。引入外观评分方法,有效解决外观指标的量化问题并获得了最优工艺参数。实验结果表明,重新制备的Ag^+掺杂ZnS闪烁材料,其平均粒径为几十纳米,其发光强度相比普通商用ZnS∶Ag^+粉末得到明显提升。当温度为200℃、压力为7 MPa、时间为10 min时,利用热压成型工艺制备的闪烁体探测效率和外观均达到最优,辐射探测器的综合性能和成品率也得到较大提升。

摘要：目的检测不同时期血管瘤组织中血管内皮生长因子(VEGF)的表达水平,探讨VEGF对血管瘤生长的影响,研究血管瘤增生退化的机制。方法取不同时期手术切除血管瘤组织及其临近组织标本。其中增生期20例,退化期12例,正常皮肤组织8例作为对照。根据美国国立生物技术信息中心(NCBI)基因库中VEGF的cDNA序列设计引物,以β-actin作为内参照,应用半定量RT-PCR方法测定血管瘤组织中VEGFmRNA表达水平。应用SPSS12.0软件进行统计学分析。结果琼脂糖凝胶电泳显示增生期血管瘤、退化期血管瘤、正常组织中VEGF mRNA电泳条带亮度依次降低;组织中表达的相对量分别为增生期血管瘤1.442 8±0.084 6、退化期血管瘤0.956 9±0.061 7、正常对照组皮肤组织0.487 2±0.035 6,两两比较均有显著性差异(Pa<0.05)。结论VEGF在增生期血管瘤组织中高水平表达,在退化期中表达减弱,在正常组织中几乎无表达,提示VEGF参与调控血管瘤的发展过程,可作为区分增生期与退化期的标志之一。