摘要：基于PIN二极管电热自洽耦合模型,构建了两级PIN限幅器高功率微波(HPM)效应电路模型。根据模拟模型设计加工了两级限幅器实验样品,限幅器输入、输出特性注入实验数据与模拟计算结果基本一致,验证了多级限幅器模型的有效性,表明该多级PIN限幅器模型能够应用于HPM效应模拟。针对不同HPM波形参数进行了HPM效应模拟,计算结果表明:随着注入功率的增大,脉宽增宽,前级厚I层PIN二极管结温升比后级薄I层PIN二极管结温升要高,因此厚I层PIN二极管更易受到损伤;而频率和前沿参数对结温升影响较小。

摘要：基于LDMOS FET的高增益、高输出功率、低功耗和良好的散热特性,分别设计了S波段45W和180W固态功率放大器。其中45W功率放大器作为驱动放大器,由前级输出功率2W的放大器驱动,输出经3个3dB电桥分成4个等幅同相的支路,每个支路分别驱动1个180W功率放大器,最后由4路平面径向波导功率合成器直接进行4路合成获得500W输出功率。

摘要：本文提出了一种新型波导-基片集成波导转换器的设计方案。矩形波导中的电场通过该对极鳍线转换器后在基片集成波导中传输。该转换器的优点是:结构形式简单,长度短,带宽较宽。利用HFSS仿真对过渡段结构进行了优化,306到40G的频率范围内,插入损耗小于0.13dB,回波损耗优于20dB。背靠背插入损耗小于0.22dB,回波损耗优于20dB,相对带宽大于25%。

摘要：本文介绍了一种中心频率为94GHz,带宽为4GHz,应用检波二极管制作的微带检波器的设计方法。该检波器输入端口为WR10标准矩形波导,输出为SMA接头,通过对脊鳍线渐变的方式实现波导到微带的过渡。设计出的检波器为负向检波,当输入功率为-20dBm时,在中心频率处测的电压灵敏度大于320mV/mW。

摘要：对准光模式变换器的基本理论和设计方法进行了讨论。以改进型等效电流理论为基础给出了Vlasov辐射器的分析方法,建立了数值模型,并进行了计算分析。继而推导了自适应相位修正Katsenelen-baum-Semenov算法,编制了相位修正反射镜自适应设计分析程序。在上述理论工作的基础上,针对3mm波段TE62至TEM00准光模式变换器开展优化设计,得到了Vlasov辐射器、相位修正反射镜的相关参数,并完成了实验样品的加工和相关实验测试。结果表明:输出模式纯度大于94%,测试结果与理论计算具有良好的一致性。

摘要：射频开关作为一个系统的重要组成部分其性能直接影响整个系统的指标和功能。其中插入损耗和隔离度以及开关速度是射频开关最重要的几个指标。在实际测试中,S波段脉冲信号源需要产生快前沿的窄脉冲信号。在此基于上述需求,利用了射频开关模块设计的基本原理,并结合了PCB上微带线的特性阻抗分析,且设计了合适的开关驱动电路,最终设计出一种高隔离度,低插入损耗,高速射频开关,开关控制电压为(0,-5V)。在频率2～4GHz的条件下,插入损耗小于1.7dB,隔离度大于48dB,结果满足设计要求。

摘要：介绍了一种8mm波导魔T的设计，采用仅在魔T接头处加入匹配元件，设计出了一种结构简单的魔T结构形式，并使用三维仿真软件对其进行仿真计算。仿真结果表明：在32．5～37．5GHz范围内实现了功率等分，端口间的隔离度优于-30dB，回波损耗小于-20dB，等分臂功率差值小于0．1dB，工作带宽大于14％。

摘要：介绍一种8mm波导魔T的设计，使用三维仿真软件对其进行仿真计算，在32～37GHz范围内实现了功率等分，端口间的隔离度优于30dB，驻波系数小于1．2，等分臂功率差值小于0．06dB。

摘要：介绍了一种Ka波段的四路功率分配/合成网络。该网络采用H面波导裂缝电桥结构,只需要一个耦合单元,结构简单、易于加工。这种合成网络将使用在基于MMIC单片TGA1141的四路功率合成器中,预计在2 GHz带宽内合成输出功率可以达到连续波5 W以上。通过三维电磁仿真软件Ansoft Hfss对该网络进行了设计和优化。仿真结果表明,该网络在33-37 GHz的频段内,插入损耗小于0.3 dB,回波损耗大于20 dB。

摘要：本文介绍了一种由低次级联形式构成的W波段宽带六倍频器。输入信号先经过MMIC得到二倍频,再由反向并联二极管对平衡结构实现宽带三倍频,从而将Ku波段信号六倍频到W波段。该倍频器的输入端口为玻璃绝缘子同轴转换接头,输出为WR-10标准矩形波导结构。仿真结果表明当输入信号功率为20dBm时,三倍频器在整个W波段的输出三次谐波功率为4.5dBm左右,变频损耗小于17dB。该设计可以降低毫米波设备的主振频率,扩展已有微波信号源的工作频段。