摘要：设计了一种基于栅状结构石墨烯超材料的电控器件,利用有限元分析方法研究了其太赫兹波偏振调制特性。结果表明:在0.1~2.0THz的宽波段内,平行于条带的偏振太赫兹波(TE)响应由石墨烯的Drude电导决定,表现出强的均匀调制;垂直于条带的偏振太赫兹波(TM)受石墨烯中等离子体效应的影响而基本透明。加栅压提高石墨烯的费米能级可以增强TE的衰减,并使TM的等离子体峰蓝移;石墨烯的面积占比越高,器件的响应越强;增大条带宽度会引起等离子体峰红移;增加石墨烯层数可以使器件的偏振度进一步提高。以2μm为周期,条带宽为1.5μm的6层石墨烯器件的可调偏振度在费米能级为0.8eV时可以达到0.89。该工作为新型太赫兹偏振调制器件的设计提供了思路。

摘要：采用化学气相沉积法制备了直立生长的SnS_(2)(V-SnS_(2))薄膜,并使用自主搭建的Z扫描系统研究了V-SnS_(2)的三阶非线性光学响应。结果表明,由于S空位的存在使得V-SnS_(2)薄膜表现出明显的饱和吸收响应,且非线性吸收系数(β)随着泵浦功率的增加而减少。分析发现,其β的最大值为6 cm/GW,调制深度(ΔM)为50%。同时,通过闭口Z扫描技术测量发现V-SnS_(2)薄膜的n_(2)比Si和GaAs大一个数量级,且n_(2)随着泵浦功率的增加而减少,基于自由载流子的非线性理论分析表明这与材料中的自由载流子和束缚电子密切相关。本文研究证明V-SnS_(2)在全光开关、激光调Q等非线性光电子器件的设计与制造方面有潜在的应用。