摘要：在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As／In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试。在3.0V的驱动电压下实现了20dB以上的消光比，光3dB带宽达到了3GHz。对限制光调制器带宽的主要原因进行了分析，结果表明器件电容限制了带宽的提高，这主要是由于SiO2刻蚀液的钻蚀导致SiO2绝缘层厚度减小造成的。改进制作工艺可望大大改善调制器的工作带宽。

摘要：本文理论上利用二能级近似下的传递矩阵法,给出了GaAs/Al_xGa_(1-x)As二阶非线性光学系数X_(2ω)^(2)的解析表达式,通过数值计算,设计了具有较大X_(2ω)^(2)的阶梯多量子阱(SMQW)结构,其特点是单共振泵浦,实验上验证了该结构确实具有比体材料大3个量级的X_(2ω)^(2)值,为了提高二次谐波(SHG)的转换效率,我们分别设计了两种新型的实验方案,分别使SHG转换效率较Brewster角入射下大10倍和100倍。