摘要：基于低噪声放大器设计原理,从噪声、线性度、阻抗匹配等方面详细讨论了低噪声放大器的设计。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计,利用ADS2005A对电路进行谐波平衡、S参数分析及双音测试,结果表明,其噪声系数为1.795dB,正向增益为17.35dB,IIP3约为-1.43dBm,功耗约8.96mW。

摘要：从低噪声放大器的设计原理出发,从噪声、线性度、阻抗匹配等方面详细讨论了低噪声放大器的设计。电路采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行设计,利用ADS2005A对电路进行模拟。结果表明,它的噪声系数为1.768dB,正向功率增益为20.36dB,IIP3为2.34dBm,工作电压1.5V时,功耗小于12mW。

摘要：采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一个基于Gilbert单元、工作在2.4GHz的下变频双平衡混频器,该混频器具有良好的150MHz中频输出特性。经仿真在1.8V电压下,电路匹配良好,并取得转换增益为8.275dB、单边带噪声系数(NFssb)为8.431dB、为7.146dBm、功耗低于20mW的较好结果。