摘要：本文通过计算、分析在 Si光电器件表面由 Si O2 、Si3N4及 Al2 O3组成的不同减反膜的反射损耗 ,得出了最优化的膜层组合。厚度为 95 nm的 Si O2 层是最佳的单层减反膜 ;进一步的优化可采用 40 nmSi3N4和 40 nm Si O2 或 45 nm Al2 O3和 45 nm Si O2 组成的 2层结构 ;3层或 3层以上结构的反射损耗呈振荡性变化 。

摘要：在常规的条状一维位置敏感探测器(PSD)中,光敏区和位置电阻区是结合在一起的,器件的欧姆接触电极难以做得比较理想,因此器件的位置准确度和线性度也受到了不利的影响。而在梳状一维位置敏感探测器中,光敏区和位置电阻区被分成了梳齿区和梳脊区两部分,并且位置电阻区被设计成很窄的长条,即使掺杂浓度比较高,位置电阻也能做得相当大。这样条状一维位置敏感探测器接触电极上的缺陷就可消除。用两种不同的一维位置敏感探测器所测量的位置特性曲线证实了理论分析的正确性。测量结果还表明,梳状一维位置敏感探测器的位置准确度和线性度比条状一维位置敏感探测器有了显著的提高,梳状一维位置敏感探测器的平均位置误差从条状一维位置敏感探测器的55μm减小到了26μm,梳状一维位置敏感探测器的均方根非线性度从条状一维位置敏感探测器的0.94%减小到了0.09%。

摘要：　证明了枕型二维位置敏感探测器设计的基本原理———Gear定理,并推导了适用于枕型二维位置敏感探测器的位置计算公式,此外还提出了枕型二维位置敏感探测器的制作工艺和测试结果。采用集成电路工艺所研制的枕型二维位置敏感探测器(光敏面为8 mm×8 mm)表现出良好的光电特性,当反偏为5 V时其暗电流约为15 nA,峰值时的光谱灵敏度超过了0.6 A/W。在所测量的 75%光敏区域内,均方根位置误差约为 0.135 mm,而以均方根位置误差表示的非线性度在1.1%左右,比四边形二维位置敏感探测器的位置线性度提高了近一个数量级。

摘要：本文提出了一种计算磁光多层结构光学特性的新方法,它可以用来计算包含有一层或多层磁性薄膜的磁光多层结构的反射率、Kerr角及椭圆度等光学特性,并得到了应用.

摘要：本文以 PL A- 5 0 1F光刻机为例 ,研究如何使光刻机的分辨率和对准精度得到充分发挥。指出了光源、光刻胶、滤光片和主物镜的相互匹配是充分发挥光刻机分辨率的关键问题 ;在提高光刻工件的对准精度方面 ,牵涉到母板的套准图形设计及对准时的技巧。