摘要：高温可靠性是目前限制SiC MOSFET晶体管高温应用的关键问题之一。本文介绍了基于国内碳化硅器件工艺平台研制的1 200 V SiC MOSFET器件的直流特性,并通过高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验对器件高温可靠性进行测试分析。试验结果表明:所研制的1 200 V SiC MOSFET器件在经过168 h的HTGB和HTRB可靠性试验后,所有测试器件的击穿电压>1 200 V,阈值电压偏移量<15%,导通电阻偏移量<15%,显示出优良的器件鲁棒性,也初步证明了国产SiC MOSFET器件的设计、工艺及其研制的可行性。

摘要：为研究活化腐植酸肥料的颗粒形态和用量对苹果幼树生长、土壤理化性质及肥料利用率的影响,通过苹果幼树盆栽试验,共设计了8个处理,包括不施肥(CK)、普通习惯施肥(CCF)、100%施用量的大颗粒活化腐植酸肥(SAF1)、80%施用量的大颗粒活化腐植酸肥(SAF2)、50%施用量的大颗粒活化腐植酸肥(SAF3)、100%施用量的粉末状活化腐植酸肥(PAF1)、80%施用量的粉末状活化腐植酸肥(PAF2)、50%施用量的粉末状活化腐植酸肥(PAF3)。考察了不同处理苹果幼树的株高、茎粗、叶绿素含量、光合特性、生物量、肥料利用率和土壤的速效养分等。结果表明,与CCF处理相比,SAF1、SAF2和PAF1处理的株高、茎粗、新梢长度、干物重、光合强度和土壤的速效养分显著增加,SAF3和PAF3处理的叶绿素、净光合速率、气孔导度、蒸腾速率、植株干重、硝态氮、有效磷和速效钾差异不显著。此外,SAF1处理的氮、磷和钾养分平均利用率分别为40.7%、20.6%和46.2%,相比PAF1处理分别提高了12.7%、32%和38.7%。在减少肥料用量的条件下,SAF2处理促进苹果幼树生长和提高土壤肥力的效果最佳,且显著优于普通肥料。因此,大颗粒活化腐植酸肥料在肥料减施、提高养分利用率、促进苹果幼树生长和增加土壤肥力方面的作用显著,其大面积推广应用的潜力巨大。

摘要：以中棉所49号为材料,采用裂区试验设计,主区为遮阴50％和不遮阴（CK）,副区为纯氮320 kg/hm2基础上氮肥运筹分别是氮肥前移（N1）、正常施肥（N2）、氮肥前移量较大（N3）三个水平,研究光胁迫下氮肥运筹对棉花生长发育、生物量积累及产量的影响.结果表明：遮阴比不遮阴皮棉减产35.61％,且生育期延长15～18 d;氮肥前移N1和N3分别比正常追肥N2早吐絮6,5d,缩短了棉花的生育期;遮阴条件下适量的氮肥前移N1有效增加了株高、真叶数和倒四叶宽,有利于棉花生物量的积累,皮棉产量达2 534.56 kg/hm2,比N2、N3分别增加18.90％和29.01％.弱光胁迫下适量的氮肥前移可缩短棉花生育期,显著增加单株铃数和单铃重,以提高产量.