摘要：基于正激变换器结构,设计了一种实时自适应前沿消隐电路。通过振荡时间消隐和振荡幅度消隐,对最优消隐时间进行追踪,实现实时自适应的前沿消隐,在保证消隐可靠性的基础上降低了系统体积与成本,并确保不限制电路高频化发展。设计的前沿消隐电路能获得消除尖峰振荡的输出电流信息,保证系统能对输出负载变化做出快速响应。基于0.18μm BCD工艺,对电路进行设计。仿真结果表明,该电路在没有其它额外限流功能条件下,启动过冲电压只有50 mV,负载切换时的下掉电压与过冲电压分别为519 mV和578 mV。

摘要：设计了一种应用于有源箝位正激变换器拓扑的线缆压降补偿电路。在适当时刻对电路CS引脚进行采样,得到负载电流信息,再根据该信息自适应调整误差放大器的基准电压,有效降低了负载调整率,提高了输出电压精度。该电路基于0.18μm 40 V BCD工艺设计。仿真结果表明,在3~30 A负载电流范围内,未经线缆补偿时,有源箝位正激变换器的整体负载调整率为9.8 mV/A;引入线缆补偿后,整体负载调整率降低为0.096 mV/A,仅为未经线缆补偿前的0.98%。

摘要：设计了一种适用于有源箝位正激变换器的输出过流保护电路。通过分析峰值电流模下正激变换器的反馈与控制原理,实现了过流保护电路可控制正激系统在五种不同工作模式下切换。该技术通过调节片外电阻R_(CS),实现可编程过流阈值自主设定。同时通过调节片外电容C_(RES),实现可编程过流时域响应快慢。该电路基于0.18μm BCD工艺进行了仿真与流片测试,实际测试结果表明,系统发生过流时,可以实现良好的过流保护功能。

摘要：基于原边反馈反激变换器结构,提出了一种适用于PWM、PFM调节模式的动态调节前沿消隐电路。首先,当系统工作在PWM或PFM模式时,分别检测输出电流信息和系统工作频率,产生动态调节的前沿消隐信号,避免了辅助绕组高频振荡导致的膝点电压误采样。其次,通过动态调节前沿消隐时间,减小了全负载范围内膝点采样电路的功耗。设计的原边峰值电流采样电路能获得输出电流信息和系统工作频率信息,避免了反激变换器工作条件变化时前沿消隐时间非线性调节导致的膝点电压误采样。基于0.18μm BCD工艺对电路进行设计。仿真结果表明,该电路产生的动态调节前沿消隐时间误差的最小值为4%。

摘要：基于0.18μm CMOS工艺设计了一种高性能的亚阈值CMOS电压基准。提出了一个电压减法电路,将两个具有不同阈值电压且工作在亚阈值区晶体管的栅源电压差作为电压基准输出。所提出的电压减法电路还可以很好地消除电源电压变化对输出基准的影响。后仿仿真结果表明,所设计的电压基准在0.55~1.8 V电源电压范围内,线性灵敏度为0.053%/V~0.121%/V;在-20℃~80℃范围内,温度系数为9.5×10^(-6)/℃~3.49×10^(-5)/℃;在tt工艺角、0.55 V电源电压下,电源抑制比为-65 dB@100 Hz,功耗为3.7 nW。芯片面积为0.008 2 mm2。该电路适用于能量采集、无线传感器等低功耗应用。