摘要：利用反向并联二极管对的二倍频原理,设计了Ka波段二倍频器。用高级设计系统ADS设计软件包的射频设计软件对二倍频器的电路进行了模型设计和仿真分析,并对设计出的二倍频器进行了整体优化,研制了Ka波段的二倍频器;在整个Ka波段内的变频损耗为11.2±1.8 dB,减少了设计的理想模型与实际参数的偏差。

摘要：在基片集成波导(SIW)结构中加载了互补螺旋谐振器(CSR),实现了具有超宽带外抑制的带通滤波器。CSR是复合左右手结构的一种,其等效电路与互补开口谐振环(CSRR)的相似,但CSR结构更加紧凑,设计更加灵活。SIW具有与传统金属波导相似的结构特点和分析方法,但它体积更小,且更容易与其它平面电路结合。将两个CSR单元加载到SIW中,会产生一个低于SIW截止频率的通带。调整两个CSR单元的位置,会在通带的两侧分别产生一个传输零点。本文设计的带通滤波器较传统的SIW滤波器体积更小,并且具有更宽的带外抑制。根据测试结果,滤波器的中心频率为7.68GHz,3dB带宽为394 MHz,带内插损最小值为1.91dB,带外抑制在9~18GHz范围内优于30dB。

摘要：提出和设计了一个三通带带通滤波器,采用CQ拓扑和缺陷地结构,产生了8个传输零点,获得了高频率选择和带间隔离。半波长阶梯阻抗谐振器(SIR)设计为同时谐振在第1、2和3通带的公共谐振器,公共谐振器和分别谐振在第1、3通带的1/4波长谐振器(QWR)组合构成CQ拓扑结构。同时,阴刻在地表面的缺陷地结构提高了调节耦合系数的自由度,便于调节耦合系数来满足特定要求。设计、加工和测量了工作在2.4GHz、3.4GHz和5.5GHz的三通带滤波器,测试结果和仿真结果的一致性证明了提出的设计方法的可靠性。

摘要：提出了一种基于槽线与微带过渡结构的新型高隔离巴伦。首先,本设计采用槽线与微带的过渡结构,它与魔T的腔体结构类似,能够在工作频段内输出严格平衡的两路信号。同时采用槽线与微带的过渡结构可以使本设计更加紧凑方便地集成于一层基板上,这种紧凑的平面结构可以很好地克服腔体魔T体积大,不易集成的缺点。然后,在距离槽线到微带过渡结构半波长处的输出端口加由电阻和微带线构成的隔离网络,这样就可以产生很好的隔离度。实测结果显示,该巴伦在7~10GHz的插损为1.9dB,隔离度在6.1~11GHz大于17dB,并在6.2~7.3GHz和8~11GHz频段内隔离度大于20dB,两输出端相位差为180°。

摘要：首次基于新型超宽带平面巴伦,设计了工作于超宽带(3.1~10.6GHz)频段的二极管双平衡混频器。微带到槽线过渡巴伦具有高通性质,可以阻断直流和中频分量,而微带到共面带线(CPS)过渡巴伦可以提供中频和直流回路,二者与交叉二极管对一起构成平面超宽带双平衡混频器。同时,可在中频端口串接宽阻带低通滤波器,进一步改善射频(RF)和本振(LO)端口到中频(IF)端口的隔离度。根据测试结果,当射频和本振信号工作于3.1~10.6GHz,中频在DC^100MHz时,变频损耗小于13dB,三个端口之间的隔离度大于25dB。

摘要：提出了一种基于T型谐振器的高选择性、结构紧凑的三通带带通滤波器。T型谐振器有两个基本谐振模式,第一谐振模式由开路枝节的长度决定,第二谐振模式主要由短路枝节决定,每个模式只有一个自由度,方便进行设计。由于采用平行结构,所以第二通带可以通过相应的T型谐振器进行微调而不影响其它通带。其中第三个通带是由第一谐振器的第二谐振模式和第三谐振器的第一模式共同完成的,因此有较高的带宽和更好的边缘选择性。测试结果显示,该滤波器的中心频率为2.60/3.45/5.20GHz,同时具有结构紧凑、选择性高及带外抑制好的特点。

摘要：提出了一种改进型的Doherty功率放大器。根据输入功率的大小不同,Doherty功率放大器的主功率放大器漏极采用两个不同的电压来供电,进而来提高Doherty功率放大器的效率。实现方法是在输入为小功率时用低电平给Doherty功率放大器主放大器漏极供电;输入为大功率时用高电平给主功率放大器漏极供电。用开关来对Doherty功率放大器主放大器漏极电压进行切换。首先从输入端耦合一路信号,再经过检波器,比较器等处理,最后放大器把信号放大来驱动开关实现电压切换。用峰值包络功率(PEP)为10 W的MRF6S20010N LDMOSFET设计了频率为2 140 MHz的Doherty功率放大器,并且设计了漏极电压切换电路。通过对传统Doherty功率放大器和有电压进行调制的Doherty功率放大器的比较得出,小功率输入,连续波(CW)测试时得到改进的Doherty功率放大器的功率附加效率相比于传统的Doherty功率放大器提高了4%左右。

摘要：基于基片集成波导(SIW)结构设计了工作于X波段的低相位噪声振荡器。SIW结构是传统金属波导结构的一种变形,且电磁波在其中传输的特性与在传统金属波导结构中的相类似。而金属波导结构中能传输的电磁波频率由其尺寸及介质的物理参数所决定,所以通过类比,即可利用合理尺寸和合适基片的SIW结构作为选频元件以实现振荡。同时,SIW结构克服了传统金属波导结构的不易集成的缺陷,并且其对金属波导的继承性决定了其通常拥有较普通微带结构更高品质因数Q值的优点。根据测试结果,该并联反馈式振荡器振荡频率为9.816GHz,输出功率达13.32dBm,二次谐波抑制度约为30dB,其相位噪声在偏移载波100kHz处低于-103dBc/Hz。

摘要：基于基片集成波导(SIW)设计了一种具有良好带外抑制的滤波器。SIW结构是传统矩形波导结构的一种变形,且电磁波在SIW中传输的特性与在传统金属波导结构中的相类似。通过在SIW的金属地表面蚀刻DGS,滤波器在SIW截止频率以下产生了一个通带,同时滤波器二倍、三倍中心频率也低于SIW截止频率。滤波器中心频率为8GHz,16和24GHz处的回波损耗接近0dB,插入损耗也分别为-34dB和-19dB。当其作为振荡器的选频网络时,振荡器的谐波抑制度得到很大提高。实际测试的并联反馈式振荡器振荡频率为7.97GHz,输出功率达6.67dBm,相位噪声在偏移载波100kHz处低于-101.4dBc/Hz,二次谐波抑制度约为47.7dB。

摘要：针对X波段串联和并联两种结构的反馈式介质振荡器(DRO)进行了较深入的研究,并介绍了一种通用的介质振荡器设计方法,设计、实现了这两种反馈式介质振荡器,实验表明该设计方法简单可行。首先运用电磁感应理论简要介绍介质谐振器应用于微波电路的基本原理,阐述了影响介质振荡器相位噪声、稳定度等性能的关键因素,并分别运用负阻和反馈理论对串联和并联两种反馈式介质振荡器的拓扑结构进行了详尽的分析。然后选用相同的介质谐振器和有源器件,运用仿真软件HFSS和ADS设计这两种结构的振荡器,并结合设计过程详细地介绍了设计方法,最后分析仿真结果和实测数据,总结了串、并联反馈式振荡器各自的特点。