摘要：提出了部分局域电荷槽SOI(partial locating charge trench SOI,PTSOI)高压器件新结构.该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋氧层纵向电场从传统的3ESi,C升高到接近Si O2的临界击穿电场ESi O2,C;另外,硅窗口将耗尽层引入衬底,因而提高了器件的击穿电压.同时,硅窗口的存在大大缓解了自热效应.借助二维器件仿真研究了器件的击穿特性和热特性.结果表明,漂移区厚2μm,埋氧层厚1μm的PTSOI耐压可达700V以上;对埋氧层厚1μm和3μm的PTSOI,其器件的最高温度分别比TSOI低6K和25K.

摘要：由于功率集成电路功率耗散比较大,发热量也大,因此,过热保护电路对于功率集成电路是非常重要的。文章介绍了一种用于集成电路内部的带热滞回功能的过热保护电路。电路不使用齐纳二极管和迟滞比较器,通过简单的反馈,防止了热振荡现象的发生。

摘要：提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型.该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋层介质的纵向电场增加,同时使顶层硅的纵向电场降低,并对表面电场进行调制,因此屏蔽了高电场对顶层硅的影响.借助二维器件仿真研究器件耐压和电场分布与结构参数的关系.结果表明,该结构使埋氧层的电场从传统的3ESi升高到近600V/μm,突破了传统SOI器件埋氧层的耐压值,大大提高了SOI器件的击穿电压.

摘要：压接型绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)作为现有柔性直流输电设备的核心部件,在实际应用中,由于承受高电压、大电流的工作环境,容易发生短路过流失效,进而造成的结构爆炸现象。为研究这一爆炸现象的破坏效应及其防护,该文结合多组模拟模块化多电平工况实验,得到IGBT器件短路过流失效爆炸后外壳结构的变形特征。结合电气能量特性的分析和实际爆炸失效形貌特点,建立该IGBT器件结构的数值仿真模型,初步确定实际爆炸过程中的等效TNT爆炸当量。在此基础上,从提高结构自身抗爆能力、增加能量外泄通道、替换结构材料等角度开展IGBT器件的结构优化设计,并进行相关试验验证。结果表明,将管壳的陶瓷材料替换为纤维增强复合材料可有效提高结构的防爆性能,降低器件的破坏程度。

摘要：某住宅项目地下室发生了上浮事故。在采取了必要的临时措施后,为了解及评估事故对地下室结构的影响,对地下室上浮区域进行结构沉降变形、地下室水位、框架构件损伤、混凝土构件强度、基础构件损伤及变形的相关检测。依据检测结果,综合分析判断了地下室上浮事故的原因;并根据地下室结构变形及损伤情况,给出了相应的加固处理措施建议。

摘要：中子辐射俘获反应在反应堆运行、核装置设计及核天体物理研究中起重要的作用.4πBaF_(2)探测装置有着高时间分辨能力、低中子灵敏度、高探测效率等优点,适合开展中子辐射俘获反应截面数据的测量.中国原子能科学研究院核数据重点实验室建立了伽马全吸收装置(Gamma total absorption facility,GTAF),该装置用28块六棱BaF_(2)晶体和12块五棱BaF_(2)晶体构成了外径25 cm,内径10 cm的球壳,覆盖了95.2%的立体角.利用GTAF在中国散裂中子源Back-n束线上,测量了197Au(n,γ)的反应截面数据.测量数据通过能量筛选、PSD方法、晶体多重性筛选进行了初步本底扣除,随后结合对^(nat)C及空样品的测量数据对本底进行了分析及扣除,获得了197Au俘获反应的产额,利用SAMMY程序拟合得到了^(197)Au在1—100 e V的共振能量、中子共振宽度和伽马共振宽度参数.实验测量结果与ENDF/B-VIII.0数据库符合良好,其共振参数存在一定差异,分析原因可能与GTAF能量分辨率、Back-n的中子能谱测量精度、以及实验本底扣除方法相关,这也是下一步工作的重点.

摘要：利用大型有限元软件ANSYS对预应力混凝土梁做非线性分析,通过选取不同的材料模型,组合成6种分析方案,比较ANSYS分析结果和理论计算结果,探讨了预应力混凝土梁非线性数值分析的最佳方案。

摘要：最近我设计了一个简单的问卷调查，主要是想了解孩子们对学校生活、家庭生活、假期生活的感受，其中一条是“在新学期中，在家庭生活中，你最渴望什么？”大多数学生回答说，希望能得到父母的理解，希望父母和自己多交流多沟通。在两个班级70多名学生中，有个学生渴望在学期中有机会能和父母去北京游览，一名学生渴望得到父母的爱（这孩子的父母一直在上海打工），三名学生希望父母给自己更多玩耍的时间，还有五名学生希望父母给自己买更多的课外书籍，其余的都选择了“希望父母和自己多交流多沟通”。让我们来看看他们的心声：