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检索条件"作者=唐龙谷"

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功率组件IGBT并联均流设计: 收藏
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引用; 《大功率变流技术》2017年第1期 18-23,54页; 作者：忻兰苑孙康康龚喆陈燕平唐龙谷新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001 株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001; 介绍了IGBT并联的几种不同形式,着重分析了器件直接并联不均流的影响因素及形成机理,从工程实践的角度在器件电性能参数、结温、驱动以及结构等多个方面给出了对应的设计要点,并通过仿真、双脉冲试验以及功率考核对此进行了验证。结果表...; 介绍了IGBT并联的几种不同形式,着重分析了器件直接并联不均流的影响因素及形成机理,从工程实践的角度在器件电性能参数、结温、驱动以及结构等多个方面给出了对应的设计要点,并通过仿真、双脉冲试验以及功率考核对此进行了验证。结果表明,采用该设计方法的组件具有优良的均流效果。; 来源：详细信息评论

逆导IGCT补偿型PNP隔离技术研究: 收藏
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引用; 《大功率变流技术》2015年第1期 31-35页; 作者：陈芳林吴煜东张明唐龙谷陈勇民高建宁株洲南车时代电气股份有限公司湖南株洲412001; 逆导IGCT器件的关键技术在于实现GCT与FRD间的隔离。对比现有隔离技术,提出了一种补偿型横向PNP结隔离方法;经Silvaco仿真分析后,在4英寸与6英寸GCT芯片上开展了工艺和测试验证,结果表明该方法能有效提升隔离电压,并降低了隔离区的设计...; 逆导IGCT器件的关键技术在于实现GCT与FRD间的隔离。对比现有隔离技术,提出了一种补偿型横向PNP结隔离方法;经Silvaco仿真分析后,在4英寸与6英寸GCT芯片上开展了工艺和测试验证,结果表明该方法能有效提升隔离电压,并降低了隔离区的设计与工艺难度。; 来源：详细信息评论

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