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RTD/HEMT单片集成中RTD直流参数与材料结构的关系
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《固体电子学研究与进展》2008年 第2期28卷 167-171页
作者:郭维廉 牛萍娟 苗长云 于欣 王伟 商跃辉 冯震 田国平天津工业大学信息与通信工程学院天津300160 中国电子科技集团公司十三所石家庄050051 
为了研究器件参数与材料结构的关系,设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺,研制出三种RTD器件,并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和分析。最后针对RTD与HEMT集成时,如何处理RTD与HEMT间的电...
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平面型RTD及其MOBILE的设计与研制
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《Journal of Semiconductors》2006年 第12期27卷 2167-2172页
作者:郭维廉 梁惠来 张世林 胡留长 毛陆虹 宋瑞良 牛萍娟 王伟 商跃辉 王国全 冯震天津大学电子信息工程学院天津300072 天津工业大学信息与通讯工程学院天津300160 中国电子科技集团十三所石家庄050051 
鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构...
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栅型共振隧穿晶体管的设计与研制
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《Journal of Semiconductors》2006年 第11期27卷 1974-1980页
作者:郭维廉 梁惠来 宋瑞良 张世林 毛陆虹 胡留长 李建恒 齐海涛 冯震 田国平 商跃辉 刘永强 李亚丽 袁明文 李效白天津大学电子信息工程学院天津300072 中国电子科技集团第十三研究所石家庄050051 
在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改...
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RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制
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《Journal of Semiconductors》2007年 第10期28卷 1594-1598页
作者:梁惠来 郭维廉 宋瑞良 齐海涛 张世林 胡留长 李建恒 毛陆虹 商跃辉 冯震 田国平 李亚丽天津大学电子信息工程学院天津300072 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 
对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5~7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.
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有机无机肥配施对紫色土旱坡地土壤无机磷迁移的影响
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《水土保持研究》2017年 第5期24卷 39-44页
作者:韩晓飞 高明 谢德体 熊正 王帅 李红梅 彭征忠 重庆市农业技术推广总站重庆401121 西南大学资源环境学院重庆400715 
为探索长江上游紫色土旱坡地麦玉轮作系统减少农田磷素流失的最佳施肥模式,降低磷对水体富营养化的影响。2011—2015年,以紫色土旱坡地典型农作冬小麦和夏玉米为材料,在西南大学试验农场进行田间定点试验。试验采用随机区组设计,共设置...
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