摘要：本程序适用于Casiofx—4000p类计算器程序，可方便地解决工程规划、设计中的渠道土方计（估）算问题。

摘要：随着国内社会经济水平提升及计算机技术的持续发展,人们不断将仿真技术充分运用于铸造实际生产及实践研究中,发达国家已经全面实现了铸造工艺仿真设计高效率运用,促使铸造工艺仿真内容及方式与形式有着本质性变化。铸造工艺设计直接关系着铸件质量,本文分析了铸造工艺设计及模拟CASTsoft技术在大型采矿设备铸件生产中的应用,并提出了实用性应用措施。

摘要：作者根据双点后方交会的两类图形 ,由前方交会原理出发推导出坐标计算公式 ,并设计编制了适用于 CASIO fx— 4 0 0 0 P类编程计算器的计算程序。利用此程序可方便迅速地获得未知点坐标。

摘要：研究了保持结构整体性和力学性能的微波吸收水泥基复合墙体材料设计与制备问题。以获得既保证墙体材料完整性和力学性能、又具有良好的微波吸收性能的材料为目标,以方便施工、成本低廉为原则,设计了以纳米碳黑为吸收剂的新型水泥基墙体材料,采用适于建筑工程的程序成功制备了材料样品。测试结果表明,制得的水泥基复合墙体材料在8～18GHz的频段内吸收能力为7.5～17dB,在18～26.5GHz频段吸收能力为10～15dB。

摘要：利用最小直接成本方法，建立剥采比、运距和采区长度三者函数关系，进一步转化为规模关系，求证露天矿合理规模，再利用最小费用法验证其合理性。

摘要：在可持续发展理念的指导之下,建筑行业朝着绿色建筑方向飞速发展。根据实际情况可以得知,在绿色建筑施工工作进行的过程中,给排水系统的建设水平会直接影响到工程整体质量,在给排水系统设计时,要高度重视节水理念引入问题,实现对于宝贵水资源的有效利用。本文简要介绍绿色建筑基本理念,分析在给排水系统设计过程中引入节水设计方案的重要意义,结合绿色建筑本身特点提出提升节水设计水平有效策略,对于提升绿色建筑的整体施工水平以及环保工作的进一步开展起到重要促进作用。

摘要：针对微流系统中液滴精确操控的问题,本文基于能量最低原理和正交实验设计,对比分析了交流电压、介电层厚度、交流电频率等因素对氯化钠液滴在派瑞林薄膜表面电润湿行为的影响。经理论分析与实验测试,结果表明:在同一厚度的派瑞林薄膜表面,接触角会随着交流电压的增加呈抛物线减小的变化趋势,直至趋于饱和;薄膜厚度在0.5~5μm范围内变化时,饱和电压会随着厚度的增加成线性关系逐渐升高,由25增至65 V;当交流电频率由50增至500 Hz时,饱和电压会随着频率的升高而呈反比例函数关系逐渐降低,不过升高交流电频率,氯化钠液滴的三相接触线处会诱发动力学失稳;而当氯化钠液滴的固有频率与交流电频率比较接近时,液滴会在派瑞林薄膜表面引起共振。

摘要：作者将多种测角三角网形分为两种类型──线形锁类和非线形锁类。在此基础上设计编制了适用于Casiofx－4000P计算器的坐标计算程序，以其解决线形锁、一端有基线的三角锁、中点多边形、前（侧）方交会和双点后方交会等观测网形的坐标计算问题。该程序适用于三、四等大地测量的坐标概算，1：2000以小比例尺测图工程的资用坐标计算，尤其适用于对教学实习小组的图根控制成果进行校核计算。

摘要：指出了中国古典园林历史悠久,现代园林发展则相对较晚,城镇园林建设愈来愈重要,但是目前发展现状堪忧,存在一些亟待解决的问题,比如:植物配置设计理念落伍,植物品种雷同缺乏特色,城市环境适宜病虫害滋生。通过确定绿量指标优化种植结构,科学合理配置植物资源,促进生态园林的建设发展等措施对未来发展趋势进行了远景展望。最终得出结论并提出了建设性意见:坚持生态园林设计理念,改革园林设计运行机制,提高绿化施工及养护管理水平;根据绿地的性质和功能,做好树种的规划和选择;在植物配置时应因地制宜、审时度势注意细节,绿化要与周围环境相协调。

摘要：本文采用透射式太赫兹时域光谱技术研究0.3—2.5 THz范围内本征GaSe,S掺杂质量分数为2.5%GaSe(GaSe:S(2.5%))和S掺杂质量分数为7%GaSe(GaSe:S(7%))晶体的电导率特性,并利用Drude-SmithLorentz模型对复电导率进行拟合.研究发现GaSe晶体的电导率实部随S掺杂浓度的增大而减小,主要是由于S掺杂使GaSe晶体的费米能级逐渐向电荷中性能级转移,载流子浓度下降引起的.本征GaSe和GaSe:S(2.5%)在约0.56 THz处有明显的晶格振动峰,而GaSe:S(7%)在0.56 THz附近无晶格振动峰,这主要是由于S掺杂提高了晶体的结构硬度,减弱了晶体的层间刚性振动.且3个样品均在约1.81 THz处存在明显的窄晶格振动峰,强度随S掺杂浓度的增大先减小再增大,主要是由于S掺杂降低了GaSe的局部结构缺陷,减弱了窄晶格振动峰强度,而过量的S掺杂生成β型GaS晶体,进而增加晶体的局部结构缺陷,窄晶格振动峰强度随之增强.GaSe晶体约在1.07 THz和2.28 THz处的宽晶格振动峰强度随S掺杂浓度的增大而减弱甚至消失,主要是由于S掺杂产生替位杂质(S取代Se)和GaS间隙杂质,降低了基频声子振动强度,从而减弱了晶体二阶声子差模引起的晶格振动.结果表明,S掺杂可以有效抑制GaSe晶体的晶格振动,降低电导率,减少在THz波段的功率损耗.此研究为低损耗THz器件的设计和制作提供重要的数据支撑和理论依据.