摘要：非标自动化设备的精度,不单靠工程师图纸设计就能实现的,设备制造流程中组装、调试、批量生产等几个过程对设备最终精度影响非常大。在非标设备的实际开发中,必须做到每个阶段都能管控设备质量,才能达到设备初始设计精度要求。本文从非标自动设备开发的各个阶段进行分析,探究如何在设计过程保证精度,如何在安装阶段实现精度,如何在批量生产中管理精度。帮助设备制作商能更顺利的交付项目、以及生产类的企业更好的管理设备精度,稳定生产质量。 。

摘要：由于节能、环保的需要,轻量化已成为现代结构设计的主流趋势,作为最轻的金属结构材料,镁合金受到强烈的关注。但由于其室温塑性较差,现有产品主要采用压铸法制造。由于镁合金板材在200～400℃时表现出良好的塑性,因此温热成形成为一种很好的方法;电磁成形是一种高能高速率成形工艺(应变速率大于103～104 s–1),能显著提高金属板材的成形性能,并且不需要润滑。充分利用温成形与电磁成形的复合优势来提高镁合金板材的成形性能,研究电压、电容、温度等工艺参数对镁合金板材温热电磁胀形高度的影响规律,结果表明:在一定的范围内提高电压或增加电容,胀形高度得到提高;增加电压比增加电容能更有效地提高胀形高度;在相同的放电能量下,成形温度提高时,板材胀形高度先降低(θ<150℃)然后增加(150℃<θ<230℃);随着成形温度增加,极限胀形高度增加,但所需的放电能量增加。

摘要：为了保护书籍不易被破坏且提高书籍档次,部分书籍会配备护封。这对于印刷生产而言,需要解决如何精确设计护封尺寸的问题。通常书籍生产周期有限,没有太多时间来验证护封的尺寸设置是否合理,特别是护封的书脊厚度和宽度是否合适,过大或过小都将影响成书的美观度,过大护封松垮且缝隙明显(如图1),过小则包好护封后封面会出现卷翘而无法顺利摊平的问题(如图2)。

摘要：纸张丝绺方向往往是印刷工艺设计过程中容易被忽视的一个环节。在包装印刷企业,由于纸张需要对裱,还有瓦楞纸张的加入,重视程度相对比较高,但书刊印刷企业,往往就没有那么重视。笔者所在的杭州日报报业集团盛元印务有限公司长年生产书刊类产品,而且采用报纸轮转、商业轮转、平版印刷、数字印刷等多种设备来完成书刊的印刷,积累了一些纸张丝绺方向对书刊类产品质量影响的经验,在这里和大家分享。

摘要：设计了一种CMOS基准电压源结构,具有高精度、低温漂的特点。它利用带隙基准的基本原理,结合自偏置结构以及适当的启动电路,获得了相对稳定的电压值以及较好的温度系数。此基准结构已经在标准的0.6μmCMOS工艺线上进行了流水,实测结果表明基准电压源的输出中心值为1.209V,温度从0℃变化到100℃,温度系数为66ppm/℃,同时,供电源从2V变化到6V,基准电压值的变化约为2mV。这种基准结构已经成功应用在CMOSDC/DC转换器中,并取得了良好的应用效果。

摘要：液态燃料熔盐堆采用熔盐作为冷却剂,熔盐换热器置于反应堆堆芯内,冷却盐流经堆芯熔盐-熔盐换热器时被堆芯中子活化产生放射性,放射性核素随冷却盐从堆芯流出进入冷却盐回路工艺房间对周围环境和设备产生辐射影响。对冷却盐活化过程进行分析,给出相应的计算公式,采用公式给出的计算结果与ORIGENS程序计算结果的相对偏差最大为2.92%,两种方法计算结果相吻合,表明对冷却盐回路活化产生的放射性核素的计算推导过程合理可行。冷却盐工艺房间辅助设备所在位置屏蔽前最大吸收剂量率为45.7 mGy/h,不能满足设备整个寿期300满功率天耐辐照剂量低于50 Gy的限值要求,通过在辅助设备与冷却盐主泵回路之间设置30 cm厚的混凝土屏蔽墙可将辅助设备所在位置的吸收剂量率降低至7 mGy/h以下,从而满足辅助设备的辐射防护要求。

摘要：针对钝化层质量对高压VDMOS器件可靠性的影响做了研究。通过流片生产中的产品遇到的实际问题,分析了高压VDMOS器件的钝化层可能存在的离子或者受热应力对器件可靠性的不良影响,并在实际工艺和芯片设计上作出了相应的改进,流片验证可靠性得到了有效的改善。

摘要：对单端电容跨阻抗放大器读出电路的非线性进行了理论研究,详细分析了积分电路、采样保持电路、行选电路对非线性的影响。在此基础上,为提高读出电路的线性度,提出在积分电路中引入增益自举结构以及行选电路中采用转移电荷电路替代传统源跟随电路的方法。具体电路采用CSMC DPTM 0.5μm工艺实现,在输入积分光电流为2.0nA^26.5nA的范围内,读出电路的非线性度仅为0.05%。

摘要：介绍了一种具有分时背景抑制功能的单元电路,该单元电路适合于大规模2D红外焦平面阵列。在减电流电路设计中,自级联管采用长沟道设计,工作在强反型区,各单元电路的减去电流不易受到工艺偏差的影响,有效地降低了具有分时背景抑制功能的单元电路间的背景抑制非均匀性(BSUN)。在背景电流为100 nA,积分时间为2.7 ms,减去电流为3.28μA,构成自级联管的两个晶体管阈值电压的最大失配均为10 mV时,具有分时背景抑制功能的单元电路间的BSNU为3.310%。

摘要：介绍了一种基于亚阈区VGS和ΔVGS的CMOS基准电压源电路,电路不采用二极管和三极管.电路采用正负温度系数电流叠加的原理,可以产生多个基准电压值的输出,适用于同时需要多个基准的电路系统中.所设计的电路在0.6μm CMOS工艺线上流水验证,芯片面积为0.023mm2.测试结果表明,电源电压为2.5~6V时,最大的电流为8.25μA;电源电压为4V时,常温下所获得的三个基准电压值为203mV,1.0V及2.05V.温度由0℃变化到100℃时,芯片的温度系数为31ppm/℃,平均的线性度为±0.203%/V.此电路结构已经成功应用于背光LED驱动电路中.