摘要：简要介绍了第3代新型半导体材料GaN的特点和优势,基于Agilent ADS微波仿真软件设计并实现了一款工作于S波段基于GaN的高效超宽带微波功率器件。测试结果表明,该器件适用于2.7 GHz^3.5 GHz的超宽带,连续波和脉冲制式均可工作,在饱和状态下,输出功率大于15 W,增益达到13 d B,漏极效率超过45%,并在管壳内部实现了匹配和偏置电路,对GaN MOSFET微波功率器件小型化、超宽带、高增益和高效率的优异性能得以验证和实现。

摘要：对现今常用的八边形CMOS RFIC平面螺旋差分变压器进行了参数化的2-π集总参数等效电路建模。所建模型包含随频率变化的各种损耗效应,各元件值均可根据工艺参数和器件几何尺寸以参数化的解析表达式得出。将电路仿真值与ADS Momentum器件仿真值进行对比,两者在DC^20 GHz谐振点前的频率范围内都得到了较好的拟合效果。在此基础上,对同样结构的巴仑也进行了建模和仿真。从仿真结果分别得出两者符合实际应用需要的频段。

摘要：本文介绍了采用SMIC RF CMOS技术的设计方法以及VPCM的准确性,并设计了一款高性能LCVCO来验证VPCM。

摘要：本文应用Cadence Virtuoso软件平台设计了一个电阻并联交流反馈式共源共栅超宽带低噪声放大器,并采用中芯国际0.13μm CMOS工艺实现了样片。测试结果给出,在供电电压为1.5V,功耗为22.5mW的情况下,芯片最大增益为13.6dB,最小噪声系数为3.6dB,带内噪声系数小于6dB,输入三阶互调截点(IIP3)为-3dBm。测试结果与仿真结果非常接近。

摘要：本文介绍了一种具有片上巴伦的超宽带(UWB)3GHz～5GHz直接转换接收机。它由电容交叉耦合共栅极低噪声放大器(LNA)和改进型吉尔伯特混频器组成,采用SMIC RFCMOS技术。仿真结果表明,本文所设计的UWB接收机具有较好的输入匹配(<-9dB)、3.9dB～5.5dB的噪声系数和19dB～25dB的功率转换增益。在1.2V供电情况下消耗22mA电流,并占用0.66×0.8mm^2芯片面积(包括焊盘)。

摘要：介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺。电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3—7温度编码电路,降低了对R—2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度。