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低电阻GaN基太赫兹空气桥结构平面肖特基二极管: 收藏
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引用; 《半导体技术》2021年第9期46卷 701-704,711页; 作者：姚婉青刘红辉柳月波张佰君中山大学电子与信息工程学院广州510006 中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州510006; 提出了通过增大欧姆接触电极包围角提高GaN基太赫兹肖特基二极管的截止频率的方法,该方法减小了空气桥结构平面肖特基二极管的串联电阻,进而提高了器件的截止频率。设计并制备了不同欧姆接触电极包围角的空气桥结构平面肖特基二极管,通...; 提出了通过增大欧姆接触电极包围角提高GaN基太赫兹肖特基二极管的截止频率的方法,该方法减小了空气桥结构平面肖特基二极管的串联电阻,进而提高了器件的截止频率。设计并制备了不同欧姆接触电极包围角的空气桥结构平面肖特基二极管,通过对器件I-V特性及C-V特性的测量,可知随着欧姆接触电极包围角的增大,肖特基二极管的串联电阻减小,而肖特基二极管的总电容并没有受影响。欧姆接触电极全包围结构的肖特基二极管截止频率为264 GHz,约为欧姆接触电极包围角为180°器件的1.6倍。; 来源：详细信息评论

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