摘要：从效应研究的角度出发,利用Labview软件,自行研制了基于PCI插卡式虚拟仪器的CMOS器件脉冲总剂量效应在线测试系统,详细介绍了其硬件结构和软件设计思想,利用该系统在“强光一号”辐射模拟装置上开展了试验验证,表明其原理和技术途径是可行的,基本掌握了开展CMOS器件脉冲总剂量损伤以及时间关联退火响应研究的关键测试技术。

摘要：本文结合工程实例,分析介绍了水电站大型发电机组电气保护的基本要求,并从短路保护、过负荷保护、定子一点接地保护等方面对水电站大型发电机组电气保护设计措施进行了详细阐述。

摘要：合作制备了体硅0.6μm工艺直栅和环栅不同设计结构的MOS器件,开展了稳态高剂量率电离辐射总剂量效应试验。通过对实验数据进行分析,研究当器件特征尺寸达到亚微米、深亚微米时,不同设计结构、不同辐照偏置条件对实验结果的影响。分析了器件的短沟效应、窄沟效应、DIBL增强效应,为器件设计加固提供了有益的试验数据。

摘要：文章利用CPLD及DSP作为系统的核心部件,设计了最大可测256MB、32位的SDRAM辐照效应在线测试系统。系统可以动态监测辐照期间SDRAM的翻转地址、翻转数等参数,基本满足辐照效应的测试要求。

摘要：CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元结构、从局部氧化物隔离技术(LOCOS)到浅槽隔离(STI)的不同CIS隔离氧化层等方面,综述了CIS总剂量辐照效应研究进展。从CIS器件工艺结构、工作模式和读出电路加固设计等方面简要介绍了CIS抗辐射加固技术研究进展。分析总结了目前CIS总剂量辐照效应及加固技术研究中亟待解决的关键技术问题,为今后深入开展相关研究提供理论指导。

摘要：发展装配式建筑,推动建造方式创新,是实现建筑工业化的重要途径,但当前装配式建筑的建造成本过高已严重阻碍其大规模的推广。为更好的实现装配式建筑投资控制的目标,本文采用文献研究法和专家函询法全面识别装配式建筑在项目前期和设计阶段影响投资控制的因素,然后运用层次分析法分析各影响因素的权重,最后根据分析结果提出针对装配式建筑在项目前期和设计阶段进行投资控制的建议,以期为装配式建筑的发展提供借鉴。

摘要：为了探索SRAM型FPGA器件的总剂量效应测试方法及效应敏感参数,以XC2S100为实验样品,设计了两种配置电路,利用60Coγ辐照装置进行了总剂量效应辐照实验。通过对实验结果的分析,给出了SRAM型FPGA器件配置存储器及块存储器的测试流程,并指出功耗电流是表征效应的最敏感参数。这些结果对建立SRAM型FPGA的考核方法及测试方法打下了坚实的基础。

摘要：结合器件版图,通过对2 k SRAM存储单元和外围电路进行单粒子效应激光微束辐照,获得SRAM器件的单粒子翻转敏感区域,测定了不同敏感区域单粒子翻转的激光能量阈值和等效LET阈值,并对SRAM器件的单粒子闭锁敏感度进行测试。结果表明,存储单元中截止N管漏区、截止P管漏区、对应门控管漏区是单粒子翻转的敏感区域;实验中没有测到该器件发生单粒子闭锁现象,表明采用外延工艺以及源漏接触、版图布局调整等设计对器件抗单粒子闭锁加固是十分有效的。

摘要：在研究混合型高温超导限流器和失超型桥式整流高温超导限流器原理的基础上,介绍了混合型高温超导限流器的概念,提出了一种新型单相混合型高温超导限流器,该限流器利用IGBT快速动作来控制保护电阻,IGBT在故障发生后的100μs时间间隔内动作并投入保护电阻.利用MATLAB进行仿真分析,研究结果表明该限流器模型设计参数准确,限流效果明显.