摘要：在微机电系统(MEMS)领域硅各向异性湿法腐蚀是制作许多元器件的一项重要技术,加入非离子型表面活性剂的腐蚀液可以在硅基片上制作出各种形状,但是对于真正的腐蚀机理还有待进一步研究。介绍了硅湿法腐蚀机理的研究现状,通过不同腐蚀条件下得出的不同腐蚀结果分析其腐蚀机理。介绍了当非离子型表面活性剂加入碱性溶液时固体表面的活性剂吸附层结构,重点介绍了表面活性剂Triton X-100加入各向异性碱性腐蚀剂四甲基氢氧化铵(TMAH)后对活性剂吸附状态和硅腐蚀速率产生影响的根本原因。不同晶向硅表面的H基和OH基数量会影响其表面活性剂的吸附能力,硅在纯TMAH腐蚀液和加入活性剂Triton后的TMAH腐蚀液中的腐蚀速率存在一定差异,高质量分数的TMAH下加入不同体积分数的Triton时,不同晶面在活性剂吸附和腐蚀速率上也存在不同,给出了出现这些现象的机理分析。研究硅腐蚀机理可以为器件设计提供有效的理论支持,有助于制作更多新的MEMS结构。

摘要：采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响。为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个参数的工艺实验,研究了不同的工艺条件对AlN薄膜质量的影响。采用X射线衍射(XRD)图谱分析了薄膜的晶格结构和摇摆曲线半高宽,采用原子力显微镜(AFM)表征了薄膜的表面形貌和均方根粗糙度。对不同制备条件下AlN薄膜样品的XRD和AFM测试结果进行了分析和讨论,最终得到了最佳的工艺参数,为下一步研究工作提供了实验依据和奠定了工艺基础。

摘要：对低温阳极键合特性进行了研究。通过对硅片进行亲水、疏水和表面未处理3种不同处理方式研究其对键合的影响,键合前将硅片浸入去离子水(DIW)中不同时间,研究硅表面H基和氧化硅分子数量对键合的影响。结果表明经亲水处理的硅片在水中浸泡1 h的键合效果最佳。并设计了不同烘烤时间下的阳极键合实验,表明在100°C下烘烤30 min可以有效减少气泡的数量和尺寸。由不同工艺条件下得到的键合形貌可知,通过控制硅片表面微观状态可以达到减小或消除键合气泡的目的。

摘要：二十二碳六烯酸(docosahexaenic acid,DHA)是一种n-3多不饱和脂肪酸,它是人体必需的营养物质之一,目前常用裂殖壶菌生产DHA。组学技术作为揭示生物体内复杂调控网络的重要工具,被广泛用于裂殖壶菌高产DHA的机制研究中,这为裂殖壶菌的遗传改造和发酵过程控制提供了基础。本文对目前利用裂殖壶菌生产DHA的历史和主要研究方向进行了概括,并对组学技术在裂殖壶菌中的应用概况进行了综述,阐述了基因组学、转录组学、蛋白质组学、代谢组学和多组学联用等技术在裂殖壶菌中的研究进展,以及在组学数据基础上的数学模型,以揭示裂殖壶菌高产DHA机制的研究近况,并对未来发展和应用进行了展望。

摘要：研究了葡萄糖、甘油双碳源发酵对裂殖壶菌发酵二十二碳六烯酸(docosahexaenoic acid,DHA)的影响。首先以葡萄糖和甘油为单一碳源,发现以葡萄糖为碳源,菌体增殖速度和底物消耗速度都明显高于以甘油为碳源,以甘油为碳源细胞油脂中DHA的比例显著高于葡萄糖。为了发挥2种碳源各自优势,对葡萄糖和甘油双碳源发酵进行研究,结果显示2种碳源混合或葡萄糖耗尽后补加甘油结果都不如单一碳源好。但若先用葡萄糖为碳源进行培养,当发酵液中的葡萄糖质量浓度降至10~5 g/L时补加甘油既可以缩短发酵周期,又提高了油脂中的DHA比例。采用初始葡萄糖质量浓度为20 g/L,过程补加100 g/L甘油的发酵控制策略,5 L罐发酵,发酵周期可缩短至56 h,细胞油脂中DHA比例最高可达45.50%,充分发挥了2种碳源的优势。该研究得到了一种裂殖壶菌生产DHA葡萄糖、甘油分段发酵控制策略,大幅提高菌体细胞油脂中DHA的比例,同时有效缩短了发酵周期,具有非常好的工业应用价值。

摘要：目的设计对射频穿刺针进行个体化折弯仪器,观察其在CT引导下圆孔穿刺效果。方法折弯器制作:取厚度5 mm不锈钢板材,裁成直径90 mm半圆,分为2个1/4圆,将一个1/4圆铣低1.2 mm,以5°为单位标出0°～90°的圆弧刻度,将另一1/4圆底边侧铣出一条宽、深各1.2 mm的沟槽并标上长度刻度。使用方法:用CT半冠状位对三叉神经V2支痛患者圆孔区进行层厚3 mm扫描,选取适当层面,用CT工具尺由穿刺靶点紧贴上颌窦外侧壁到穿刺点拉直线,若有蝶骨阻挡,则由圆孔外口再向穿刺点另拉一直线,测两直线夹角α。将普通射频针尖插入折弯器的沟槽内5～8 mm,向针尖斜面对侧扳折至针身与α角重叠,则该针即为该患者个体化射频穿刺针。随后在CT引导下按设计的穿刺路径,达圆孔外口时针尖弧度转向前上,越过外口后将弧度转向后下,送入圆孔内。结果 215例圆孔射频患者中,65例患者有蝶骨阻挡,需用折弯器对射频针进行塑型,弯折角α值为11°～32°(18.9°±4.2°)。使用弯针后针尖均能到达靶点,射频热凝后V2支疼痛完全消失,无一例波及V1支或V3支。结论经皮颧弓下入路圆孔穿刺三叉神经V2支射频时,30.2%的患者若有蝶骨大翼阻挡,使用自制塑型折弯器可实现对直射频针的个体化塑型弯折,保证射频针尖能越圆孔外口蝶骨阻挡进入圆孔内而达到理想的射频治疗效果。