摘要：基于0.7μm InP HBT工艺,设计实现了一种高功率高谐波抑制比的W波段倍频器MMIC。电路二倍频单元采用有源推推结构,通过3个二倍频器单元级联形成八倍频链,并在链路的输出端加入输出缓冲放大器,进一步提高倍频输出功率。常温25℃状态下,当输入信号功率为0 dBm时,倍频器MMIC在78.4~96.0 GHz输出频率范围内,输出功率大于10 dBm,谐波抑制度大于50 dBc。芯片面积仅为2.22 mm^(2),采用单电源+5 V供电。

摘要：报道了采用多层布线的101.6mm(4英寸)0.7μm InP HBT圆片工艺.器件工艺中台面均采用湿法腐蚀工艺,结合自对准光刻和BCB互联平坦化工艺,并集成了金属薄膜电阻和MIM电容.研制得到的0.7μm InPHBT器件电流增益截止频率(fT)为330GHz,最大振荡频率(fmax)为300GHz,可满足100GHz以下各频段的混频、倍频、放大等微波集成电路以及20GHz以下数模混合集成电路的设计需求.