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一种基于时间域的4倍插值高能效Flash ADC: 收藏
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引用; 《微电子学》2022年第4期52卷 519-524页; 作者：刘建伟姜俊逸叶雅倩杨曼琳王鹏王育新付晓君李儒章模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060; 采用65 nm CMOS工艺,基于时间域4倍插值技术,设计了一款6位3.4 GS/s Flash ADC。该插值技术可以将N位Flash ADC的比较器数量从传统的2^(N)-1减少到2^(N-2)。与传统插值技术不同,该技术利用简单的SR锁存器有效地实现了4倍插值因子,而无...; 采用65 nm CMOS工艺,基于时间域4倍插值技术,设计了一款6位3.4 GS/s Flash ADC。该插值技术可以将N位Flash ADC的比较器数量从传统的2^(N)-1减少到2^(N-2)。与传统插值技术不同,该技术利用简单的SR锁存器有效地实现了4倍插值因子,而无需额外的时钟和校准硬件开销,在插值阶段只需要校准2^(N-2)个比较器的失调电压。在不同的工艺角、电源电压和温度(PVT)下,SR锁存器中的失调电压不超过±0.5 LSB。该ADC的采样频率达到3.4 GS/s,其在Nyquist输入时的ENOB达到5.4位,在1V电源下消耗12.6 mW的功耗,其Walden FoM值为89 fJ/(conv·step)。; 来源：详细信息评论

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