摘要：基于深度学习的雨滴图像增强方法普遍存在高度依赖配对样本数据集,雨滴去除后图像背景细节模糊等问题。对此,提出一种双重注意力引导的弱监督雨滴图像增强方法。该方法设计构建弱监督雨滴图像增强网络,仅需来自雨滴图像域与干净图像域的图像进行训练,可有效降低对配对样本数据集的依赖性;同时,将双重注意力引入生成网络,引导特征提取与多分支掩模生成,掩模同输入的雨滴图像融合后,获得背景清晰的干净图像,实现雨滴图像增强。实验结果表明,该方法在Raindrop数据集上PSNR达到27.0711dB,SSIM达到0.8996,更好地保留了图像背景细节与颜色信息,证明该方法的可行性与有效性。

摘要：介绍了为手机背光驱动而设计的电荷泵电路,详细讨论了其中的四大模块电路:带隙基准、温度保护、振荡器、控制电路的电路结构、工作原理、性能特点。

摘要：本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究,并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型。该模型包括基于BSIM3模型的MOS管、反映寄生效应的寄生NPN晶体管、衬底电阻和串联电阻。提出了用于描述模型工作在大电流区域时状态的I-V特性计算公式和对模型所需晶体管参数进行提取的方法。仿真结果表明该模型能够较好地描述NMOS ESD保护器件的工作特性。

摘要：本文研究了在0.6um工艺下,数个版图参数对NMOS ESD保护器件性能的影响,并给出了这些版图参数适宜值的范围;提出了用于I/OPAD的ESD保护电路的版图优化方法,并证明了版图优化在提高ESD保护电路性能上的作用。

摘要：当ESD事件发生时,栅极接地NMOS晶体管是很容易被静电所击穿的。NMOS器件的ESD保护机理主要是利用该晶体管的骤回特性。文章对NMOS管的骤回特性进行了详细研究,利用特殊设计的GGNMOS管实现ESD保护器件。文章基于0.13μm硅化物CMOS工艺,设计并制作了各种具有不同版图参数和不同版图布局的栅极接地NMOS晶体管,通过TLP测试获得了实验结果,并对结果进行了分析比较,详细讨论了栅极接地NMOS晶体管器件的版图参数和版图布局对其骤回特性的影响。通过这些试验结果,设计者可以预先估计GGNMOS在大ESD电流情况下的行为特性。

摘要：介绍了一种工作电压控制模式下的CRM-Boost功率因数校正(PFC)电路的小信号模型推导过程,该方法是在传统的态空间平均法已不再适用的情况下,采用电流注入等效电路的方法来推导其数学模型,并在小信号数学模型的基础上设计了控制环路的补偿网络。最后在专业开关电源设计仿真平台SIMetrix/SIMPLIS中实现了一个10 W的CRM-Boost-PFC实例设计,仿真验证了该小信号建模方法和补偿设计的合理性。

摘要：本文设计了一种用于白光LED驱动的电荷泵电路,可驱动4个白光LED,为彩屏LCD提供背景光源,单路最大输出电流20mA,采用数字调光方式,提供32级亮度输出。电路主要由数字调光、开关管、振荡器、带隙基准、温度保护、软启动电路等组成。本文详细讨论了其中的三大模块电路:数字调光、开关管、振荡器的电路结构、工作原理和性能特点。仿真结果表明,该电路功能与预期设计目标相符。

摘要：在半导体器件的制造过程中,尤其是在0.18um及其以下的制造工艺中,自对准金属硅化物(Salicide,Self-Aligned Sili-cide)工艺是一项极其关键,同时也涉及到复杂工艺整合的工艺技术。它直接决定了所制造的半导体器件能否达到EDR(Electrical Design Rule)所规定的电学性能,同时还决定了半导体产品中几千万个器件的均一性和可靠性。本文主要通过分析半导体WAT(Wafer Acceptance Test)测试中P型器件饱和电流Idsat不稳定的现象,借助FA(Failure Analysis)手段,提出了造成这一现象的失效模型,最后通过合理的实验设计和分析,从工艺整合的角度,提出了在0.13um逻辑产品制造工艺中,形成均一稳定的低电阻金属钴硅化物(Co-Salicide)的具体解决方法。