摘要：在以TEOS源为SiO_(2)薄膜淀积源的低压化学气相沉积(LPCVD)工艺过程中,频繁出现薄膜厚度均匀性差、表面颗粒度高、设备维护周期短的问题。针对这个问题,设计并开发出一种适用于半导体工艺中的立式LPCVD设备。在设备结构上,工艺腔采用双管式结构,以提高气氛场均匀性;在晶舟系统中,增加自旋转功能,以提高晶圆表面气体含量的均匀性;为延长设备维护周期,并降低工艺颗粒度,排气管道增加伴热带和冷阱装置。基于此,通过工艺验证,有效提高了设备在线生产应用的可靠性。

摘要：针对以“新基建”为代表的通信领域对高功率、高性能微波组件的需求,阐述了氮化铝陶瓷基板的优点和工艺复杂性。基于此,开发了高温烧结设备,进行氮化铝陶瓷高温烧结工艺试验,分析了烧结温度及时间、升降温速率、气体流量及炉体压强等因素对高温烧结产品性能的影响。

摘要：针对半导体器件的国产化制造及工艺制程需求,设计了一款适用于200 mm(8英寸)晶圆的立式扩散/氧化设备。介绍了设备的功能特点和几个关键部分的设计要点,并对炉体系统进行了详细论述;设备设计完成后上线进行了流片试验,根据工艺验证结果,该设备满足产品工艺要求,膜厚均匀性均优于±2%。

摘要：针对适用于低应力氮化硅薄膜淀积的低压化学气相沉积(LPCVD)工艺中出现的薄膜应力大、应力均匀性差、工艺颗粒超标的问题,设计开发出一种适用于半导体器件的低应力立式LPCVD设备。在结构上,工艺腔采用双管式结构,内管为直筒式结构,以提高气流场均匀性;增加舟旋转功能,以提高晶圆表面的气体浓度一致性;在工艺设计上,验证并确定最佳的DCS(二氯二氢硅)与NH3气体流量比例,以及温度和真空度。通过工艺优化及验证,得到应力低于200 MPa的薄膜的淀积工艺。

摘要：为解决立式氧化炉气流场存在的技术难点,提高晶圆氧化膜的厚度均匀性;采用流体力学仿真方法,建立炉体工艺管气流场数学和仿真模型,并分析流速分布规律;针对环形流动造成的炉内流速分布不均的问题,通过在炉顶安装多孔薄板以优化炉体结构并进行仿真分析。仿真结果表明:增设孔板有利于改善炉内同一横截面和竖直方向的气流场均匀性。

摘要：介绍了半导体热氧化工艺以及热氧化工艺过程中外燃式氢氧合成系统的机理和优势,分析氢氧合成在使用过程中潜在的安全风险,有针对性的从结构、电气硬件和软件方面优化设计,提出了一种具有多重互锁功能的安全型氢氧合成系统,保证工艺过程安全可靠。

摘要：针对以“新基建”为代表的通信领域对高功率、高性能电子元器件的需求,阐述了氮化铝陶瓷基板的优点和工艺复杂性;针对性开发高温烧结设备,并据此进行氮化铝陶瓷高温烧结工艺试验,分析了升降温速率、气氛场、烧结温度和时间等因素对高温烧结产品性能的影响。

摘要：针对在以BBr3为液态掺杂源的N型晶硅电池扩散工艺过程中,扩散温度高,反应中间产物B2O3为液态,流动性较气态反应物差,副产物黏性较大,腐蚀石英件等特点,在硼扩散设备研制中通过炉门及尾气排放的设计,实现炉口炉尾的高温密封,缓解炉门粘连;优化进出气方式和石英管内压力及气流场控制,提高扩散均匀性;在工艺中增加通水蒸汽功能步,优化反应过程,减少副产物对石英件的腐蚀,降低石英件损耗成本,提高了硼扩散设备的生产效率。为N型晶硅电池硼扩散工艺提供了设备基础。