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一种3×10^(-6)/℃的超低温漂带隙基准源: 收藏
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引用; 《半导体技术》2024年第8期49卷 742-748页; 作者：娄义淳杜承钢闵睿郑倩杨发顺马奎贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州辰矽电子科技有限公司贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025; 基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基...; 基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基极-发射极电压作为电流源,利用电流镜为其他模块提供电流;在钳位运放中引入负反馈,以提高电路的输入电压范围。芯片实测数据表明,在4~36 V的工作电压范围内,2.5 V和3 V输出电压的温漂系数均小于3×10^(-6)/℃;2.5 V和3 V输出电压的线性调整率分别为7.3μV/V和2.5μV/V,实现了超低的温度漂移和线性调整率。; 来源：详细信息评论

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