摘要：1 可靠性物理及其应用技术研究是提高元器件可靠性的关键电子元器件是电子装备的重要基础.随着现代电子仪器设备的电子化程度越来越高,系统越来越复杂,电子元器件的可靠性问题也显得越来越突出,成为影响整机性能和质量的重要因素。目前在各个专业技术上,可靠性指标已被提到至少与性能指标同等重要的程度.提高电子元器件可靠性根本途径是研究掌握先进的失效分析技术与方法,深入研究有关的失效模式、失效机理和可靠性评价与预测技术,在设计、工艺、原材料以及安装使用方面采取相应的对策措施.这也就是可靠性物理特定的研究领域.

摘要：首先介绍了CMMI的概念 ,从模型结构和能力级别阐明了CMMI的连续表示 ,并对其分阶段表示作了简单地说明。从计算机应用环球网工程说明了CMMI产生的应用背景 ,从项目管理、文档化以及质量分析和保证等方面说明CMMI满足环球网工程的要求。从管理复杂性对CMMI进行了讨论 ,认为CMMI初步给出了软件开发密集的知识型企业的演化规律、组织设计和文化建设方法论。

摘要：MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数。通过对比同一厂家样品中相同面积MOS电容和不同面积电容参数的分布特性,以及不同厂家样品各个参数的差异,对CMOS相关工艺进行评价。为工艺过程以及相关设计的改进提供参考依据。

摘要：就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论,针对超深亚微米集成电路可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是集成电路可靠性综合评价与保证的核心思想,为产品可靠性评价与保证提供指导性参考。

摘要：本文对CMOS集成电路工艺评价及可靠性评估电路规范设计技术进行了详细的论述，包括评估电路图形库的建立、版图布局的规范设计、测试试验方法规范化等，使工艺评价PCM和可靠性评估REM测试结构发展成为工艺监测、工艺控制和可靠性评估的实用技术。

摘要：对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取器件的可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子注入效应、金属化电迁移效应和氧化层的TDDB击穿。本文对这三种失效机理分别进行了介绍,对各自对应的可靠性模型进行了说明,强调了可靠性评价的重要性,给出了可靠性评价在工艺中的应用流程图。

摘要：IC设计正逐渐转向系统级芯片(SOC)设计,IP核是其中的重要核心部分。本文介绍了IP核的概念及交付形式,讨论了IP核相关标准、IP验证、IP的质量评估,以及知识产权的保护,并从上述几个方面分析了IP核所面临的挑战。

摘要：本文介绍了可信性技术发展以及标准化发展历程,分析了IEC/TC 56可信性标准体系,可分为核心标准、过程标准、支撑标准以及相关标准四个层次,并分析了IEC/TC 56已发布或正在制修订的以及国际上相关的可信性标准在标准体系中的位置;同时,结合国内可信性领域的标准实际情况,提出了我国可信性领域标准体系,并对现有的或正在制定的标准在标准体系表中的位置进行了说明,可为可信性项目实施时标准的选择提供指导。文章最后提出了关于可信性标准化工作思考和建议。

摘要：简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时间有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)效应的评价试验方法及实例。REM技术与工艺过程控制(PCM)、统计工艺控制(SPC)技术结合起来就可以实现对工艺的可靠性评价与控制,某集成电路生产公司将它应用于金属化工艺中,确定了工艺输入变量与电迁移可靠性的相关性,优化了金属化工艺试验条件,提高了金属化系统的抗电迁移能力。