摘要：二维(2D)材料正被广泛用于宽带响应光电探测器(PD).然而,基于2D材料的宽带响应PD通常对红外波长的响应较差.在此,我们报告了垂直PtSe_(2)/超薄Al_(2)O_(3)/Ge PD在近红外照明下的优异光响应性能.我们直接硒化沉积在Al_(2)O_(3)/Ge上的Pt膜以形成PtSe_(2)层.超薄Al_(2)O_(3)钝化层起到表面改性的作用,有效地削弱了光生载流子的复合.在1550 nm的光照下,我们的PtSe_(2)/超薄Al_(2)O_(3)/Ge PD的工作面积为50μm×50μm,并在零偏压下获得了4.09 A W^(-1)、32.6/18.9μs的大响应度和快速上升/下降时间.在-5 V的外加电压下,PtSe_(2)/超薄Al_(2)O_(3)/Ge PD的响应度和响应速度分别高达38.18 A W^(-1)和9.6/7.7μs.我们发现器件的工作面积对光响应特性有很大的影响.此外,我们证明PtSe_(2)/超薄Al_(2)O_(3)/Ge PD阵列在室温下显示出了优异的紫外、可见光和红外成像能力.我们的研究表明,PtSe_(2)/超薄Al_(2)O_(3)/Ge异质结在设计具有优异近红外响应性能的新兴宽带光电子器件方面具有巨大的应用前景.

摘要：本文根据薄膜多层混合电路的特点，对印制板电路布图设计软件ＰＲＯＴＥＬ进行二次开发，研制出适于薄膜多层混合电路布图设计的软件ＰＲＯＴＥＬ－ＳＵＮ，应用软件对控制信号发生器实施薄膜四层布线的布图设计，布通率达到１００％。

摘要：本文根据薄膜多层混合电路的特点，概述了计算机辅助设计（ＣＡＤ）技术在薄膜多层混合电路中的应用，着重讨论了薄膜多层混合电路的计算机辅助电路分析（ＣＡＡ）和计算机辅助布图设计，并指出了存在问题和今后的发展趋势。

摘要：本文以“控制信号发生器”为例讨论了薄膜多层布线的计算机辅助电路分析，为其薄膜四层布线的布图设计做了准备工作，并对结果进行了讨论。

摘要：众所周知，ＭＯＣＶＤ方法是制备薄膜材料的重要方法之一，现已广泛应用于半导体薄膜、铁电薄膜和超导薄膜等的制备。在以前的工作中，我们设计、加工、安装、调试、建立了一套可计算机自动控制的热壁低压ＭＯＣＶＤ设备，制备出了ＴｉＯ２纳米粉末，得到了一些初步结果。本文详细研究了热壁低压ＭＯＣＶＤ方法在ＴｉＯ２纳米粉末制备中的应用，通过合理设计反应室和收集区域，在采用反应区域和收集区域之间无任何过渡区域的收集方式，制备出了ＴｉＯ２纳米粉末。采用Ｘ射线衍射技术研究了沉积温度对ＴｉＯ２纳米粉末的晶体结构和平均晶粒尺寸的影响规律。在５００℃～１０００℃范围内，粉末均为锐钛矿结构，平均晶粒尺寸７．４～１５．２ｎｍ ，７００℃条件下制备的ＴｉＯ２纳米粉末的平均晶粒尺寸最小。透射电子显微镜观察表明，在最佳沉积温度７００℃条件下制备的ＴｉＯ２粉末粒度均匀性好，粒径约为５～８ｎｍ 。

摘要：本文设计了ＭＯＣＶＤ自动控制电路，该电路既能手动控制又能采用计算机进行自动控制．将该电路应用于ＭＯＣＶＤ系统，成功制备出ＴｉＯ２纳米级超细粉，在５００℃～１０００℃范围内，超细粉的平均晶粒尺寸为７４～１５２ｎｍ．