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检索条件"作者=孙仲林"
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一种高速低功耗低相位抖动CMOS锁相环
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《微电子学》2001年 第5期31卷 379-382页
作者:李桂华 王钊 孙仲林 吉利久南开大学光电子研究所天津300071 北京大学微电子研究所北京100871 
文章描述了基于电流模压控振荡器的锁相环的设计和仿真。锁相环的所有部件都设计在同一芯片上。电路设计基于 1 .2 μm CMOS工艺。HSPICE仿真结果显示 ,锁相环在 5 V外加电源电压时 ,工作在 1 6 MHz到 3 5 0 MHz宽的频率范围内 ,峰 -峰...
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CMOS锁相环PLL的设计研究
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《半导体杂志》2000年 第3期25卷 30-37页
作者:李桂华 孙仲林 吉利久南开大学光电子所天津300071 北京大学微电子所北京100871 
在阅读大量锁相环近十年发表的英文文献的基础上 ,对锁相环的设计及特性做了深入的分析 ,并对锁相环的主要部件相频检测器和压控振荡器的结构和特性做了比较和总结。
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400cm^2 a-Si/a-Si 叠层太阳电池的研究
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《太阳能学报》1998年 第4期19卷 345-351页
作者:耿新华 李洪波 王宗畔 吴春亚 孙建 陆靖谷 孙仲林 徐温元南开大学 
以全部国产化装备和工业用原材料,以简单铝背电极制备出初始效率为8.28%,经室外阳光照射一年后稳定效率为7.35%,面积为20cm×20cm,有效面积为360cm2a-Si/a-Si叠层太阳电池。主要制备技术措施...
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