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用于0.5μm 门阵列的存储器宏单元构成方法: 收藏
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引用; 《电子与封装》2002年第6期2卷 43-47页; 作者：睦觉孙伯祥; 1前言随着微细加工技术的进展,门阵列在高性能、高集成方面向前飞速发展着.最近发表了一些可搭载门规模为100K门以上的大规模、全面敷设型门阵(SOG).在此状况下,我们(NTT电子技术设计部、NTTLSI研究所)开发了面向通信用LSI的0.5μm250k...; 1前言随着微细加工技术的进展,门阵列在高性能、高集成方面向前飞速发展着.最近发表了一些可搭载门规模为100K门以上的大规模、全面敷设型门阵(SOG).在此状况下,我们(NTT电子技术设计部、NTTLSI研究所)开发了面向通信用LSI的0.5μm250k门CMOS门阵列.; 来源：详细信息评论

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