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二维层状六方氮化硼在芯片散热中的应用: 收藏
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引用; 《应用基础与工程科学学报》2016年第1期24卷 210-217页; 作者：鲍婕张勇黄时荣孙双希路秀真符益凤刘建影上海大学中瑞联合微系统集成技术中心机电工程与自动化学院纳微研究所上海200072 黄山学院机电工程学院安徽黄山245021 查尔姆斯理工大学微米技术与纳米科学学院瑞典哥德堡SE-41296 瑞典SHT Smart High Tech股份有限公司瑞典哥德堡SE-41133; 层状六方氮化硼(h-BN)作为典型的二维材料之一,近年来由于其优良的物理化学特性受到广泛关注,本文利用其横向热导率高、绝缘性能好的特点,将其用于功率芯片表面,作为帮助芯片上局部高热流热点横向散热的绝缘保护层.分别将化学气相沉积...; 层状六方氮化硼(h-BN)作为典型的二维材料之一,近年来由于其优良的物理化学特性受到广泛关注,本文利用其横向热导率高、绝缘性能好的特点,将其用于功率芯片表面,作为帮助芯片上局部高热流热点横向散热的绝缘保护层.分别将化学气相沉积法制备的单层h-BN薄膜和微米级h-BN颗粒转移到热测试芯片表面,通过加载不同功率,观察h-BN对芯片散热性能的影响.采用电阻-温度曲线法和红外热像仪两种方法对热测试芯片的热点温度进行检测.研究结果表明,h-BN应用到热测试芯片表面,在加载功率约为1W时,可以将芯片热点温度降低3~5℃,从而提高芯片散热效率,并且通过对比发现单层h-BN薄膜表现出更为理想的散热效果.; 来源：详细信息评论

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