摘要：与西方不同,在中国传统的艺术创作和鉴赏中有一种倾向,写意的山水诗往往被视为最上等的诗,传神的山水画也往往被看作最上等的画、对此,如果要追溯其原因的话,我们认为就出在中国传统文化所特有的范畴“道”上面.一、原“道”“道”作为一个具体对象的名称,明确出现于西周初年的铭文中,写法为“衡”.即“行”中间夹一“首”字.其本义就是“所行道也”.(许慎《说文解字》),在此基础上又含有“始”、“大”、“本”等多方面的蕴义.“道”在中国思维的历程中,不断引申和抽象,在《左传》那里就已经被抽象为一个哲学概念,这主要体现在在此书中既出现了说明自然规律的“天之道”,也出现了说明社会规律的“人之道”,而且有明显的“天之道”与”人之道”相统一的思想倾向(关于这一问题,笔者将有专文论述).老子则更进一步把“道”由一个普通的哲学范畴抽象上升为统摄宇宙与人生的最高哲学本体,并由此创立了中国哲学史上的道家学派.在老子那里,“道”一方面是天地自然的产生者和决定者.是“万物之奥”(《道德经》

摘要：‘道’与山水艺术孙希国与西方不同，在中国传统的艺术创作和鉴赏中有一种倾向，写意的山水诗往往被视为最上等的诗，传神的山水画也往往被看作是最上等的画。对此，如果要追溯其原因的话，我认为就出在中国文化所特有的范畴“道”上面。“道”是一个关系到中国哲学和文化...

摘要：“动漫+旅游”的深度融合是当前“文化+旅游”发展的重要方面,是符合当前时代发展、满足人们日益增长的文化审美需求的文化跨界融合。辽宁省在开发现代文化旅游资源的过程中,要深入挖掘动漫中的文化价值和民族精神,采用增强动漫旅游产品的文化内涵、增加动漫形象的本土化元素、建设具有中国文化特色的主题乐园等多种形式开发特色文化旅游产品,丰富辽宁省文化旅游发展的创新形式,扩大辽宁省文化旅游产品的受众面。

摘要：《春秋大事表·〈春秋左传〉引据〈诗〉〈书〉〈易〉三经表》统计《左传》引《书》有很多的疏漏。详细了解《左传》引《书》的具体情况,有助于我们进一步深入学习《左传》、深入理解《左传》的思想内涵。

摘要：基于GIS技术在时空尺度上分析了塔河林业局1974-2004年森林火灾变化规律,研究结果表明:该区火灾总次数和过火面积均呈波动上升趋势;进入21世纪夏季火灾受害面积增加;历史上火灾多发生于塔河林场、沿铁路以及公路附近,且受害面积严重;积极有效地防火政策导致1987年大兴安岭特大森林火灾后森林火灾轮回期延长,且火灾发生概率下降。

摘要：为了更好地表征GaAs HEMT开关器件的特性,提出了一种基于经验公式的改进型大信号模型。基于0.25μm HEMT工艺制备不同栅指数和单指栅宽的GaAs HEMT开关器件,然后对这些器件进行直流I-V特性和多偏置S参数的测试。采用栅源电流模型、漏源电流模型和电容模型对测试曲线进行拟合,从而得到可定标的GaAs开关大信号模型。对模型的开态插损和关态隔离度进行小信号仿真,模型的仿真结果与测试结果吻合较好,验证了此模型有较高的精准度。通过大信号负载牵引测试验证了模型的有效性,此模型可用于GaAs HEMT开关器件的设计、开发及应用。

摘要：设计了Ka波段GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料及器件结构,采用Al N插入层提高了二维电子气(2DEG)浓度。采用场板结构提高了器件击穿电压。采用T型栅工艺实现了细栅制作,提高了器件高频输出功率增益。采用钝化工艺抑制了电流崩塌,提高了输出功率。采用通孔工艺减小源极寄生电阻,通过优化钝化层厚度减小了寄生电容,提高了器件增益。基于国产SiC外延材料及0.15μm GaN HEMT工艺进行了器件流片,最终研制成功Ka波段GaN HEMT功率器件。对栅宽300μm器件在29 GHz下进行了微波测试,工作栅源电压为-2.2 V,源漏电压为20 V,输入功率为21 dBm时,器件输出功率为30 dBm,功率增益为9 dB,功率附加效率约为43%,功率密度达到3.3 W/mm。

摘要：通过优化设计材料纵向结构,得到了满足3 mm频段工作的In P外延材料结构,最终采用外延工艺制作了In P外延材料。设计了3 mm频段In P HEMT器件横向结构,确定合适源漏间距和单指栅宽,基于In P外延材料采用自主研发流片工艺,优化了欧姆接触工艺,最终制作成功3 mm频段In P HEMT低噪声器件。测试结果表明,在频率为75~110 GHz,Uds为1.2 V,Ugs为-0.1 V时,In P HEMT单胞器件最大增益大于9 d B,噪声系数1.2 d B。

摘要：采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilkinson功率分配/合成网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入输出均匹配至50Ω。在36～40 GHz频带内测试,测试结果表明:饱和输出功率大于2 W,功率增益大于17 dB,功率附加效率大于20%,频带内最高效率高达25%,芯片尺寸3.7 mm×3.2 mm。

摘要：90-nm T-shaped gate InP-based In_（0.52）Al_（0.48）As/In_（0.6）Ga_（0.4）As pseudomorphic high electron mobility transistors were designed and fabricated with a gate-width of 2×30 μm,a source-drain space of 2.5 μm,and a source-gate space of 0.75 μ***,RF and small-signal model characterizations were *** maximum saturation current density was measured to be 755 mA/mm biased at V_（gs）=0.6 V and V_（ds）=1.5 *** maximum extrinsic transconductance was measured to be 1006 mS/mm biased at V_（ds）=—0.1V and V_（ds）=1.5 *** extrapolated current gain cutoff frequency and maximum oscillation frequency based on S-parameters measured from 0.5 to 110 GHz were 180 and 264 GHz,*** inflection point（the stability factor k=1）where the slope from-10 dB/decade（MSG） to-20 dB/decade（MAG） was measured to be 83 *** smallsignal model of this device was also established,and the S-parameters of the model are consistent with those measured from 0.5-110 GHz.