摘要：磁随机存储器由于其高读写速度、接近无限次的读写次数和低功耗等优异特性受到越来越多的关注。磁随机存储器采用磁场方向来操作存储位,外部磁场很容易对磁结产生干扰导致读写错误的发生。因此采用磁屏蔽封装结构来减小外部磁场对存储器的影响具有重要意义。本文针对第四代自旋轨道矩磁随机存储器的磁屏蔽优化设计进行研究,根据自旋轨道矩磁随机存储器的面内磁场敏感特性,采用平行式磁屏蔽封装形式,建立了磁屏蔽有限元模型,分析了磁屏蔽结构因素(间距,面积和厚度)和磁饱和现象对磁屏蔽效果的影响,为磁存储器磁屏蔽设计提供了新思路。

摘要：自旋轨道矩磁性随机存储器(SOT-MRAM)作为第四代磁随机存储器广受关注。SOT-MRAM为三端结构,应用于2T2R结构时,不对称写入容易导致电荷积累,从而对读产生影响,甚至导致读取错误的发生。因此研究针对SOT-MRAM特点的读电路泄电结构,减小写入对读取通路的影响具有重要意义。本文针对SOT-MRAM写入不对称导致电荷积累问题,对比了两种泄电电路结构,有效降低了首个读周期的读取时间延迟。研究了引入的泄电结构对位线电容的容忍度的影响。分析了位线电容差异导致读取不对称的机理,结合首个读周期读取时间延迟问题,提出了适合SOT-MRAM特点的读取电路泄电结构。本文的研究为SOT-MRAM读取电路的设计提供了新思路。

摘要：自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)作为一种新型非易失存储器,具有低功耗、读写速度快及与传统CMOS工艺兼容等特点,可作为Flash和静态随机存取存储器(SRAM)的理想替代品。STT-MRAM存储器的存储单元结构为磁性隧道结(MTJ),该结构由磁性材料组成,其单元特性参数易受外部磁场的干扰,因此,需要对STT-MRAM存储器的抗磁场干扰能力进行评估。通过对STT-MRAM存储单元工作机制的深入研究,分析了STT-MRAM在读写过程中受外部磁场的干扰程度,提出了一种STT-MRAM抗磁场干扰能力试验方法,设计并搭建了基于Xilinx VIRTEX4系列FPGA的STT-MRAM抗磁场干扰能力试验平台,进行了STT-MRAM存储器的抗磁干扰能力试验。试验结果表明,STT-MRAM存储器的写入过程易受外界磁场的干扰,当超过临界磁场强度45 Gs时,测试芯片出现写入错误,随着外加磁场的增大,错误数量呈指数形式增长;而STT-MRAM存储器的读取过程受外界磁场的干扰程度较低,测试芯片的抗磁场干扰能力可达500 Gs。

摘要：新型非易失磁性随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)具有读写速度快、数据保持时间长、功耗低等优点,引起了研究人员的广泛关注。其优异的抗辐照能力被人们深入挖掘,有望进一步应用于航天等领域。本文回顾了MRAM的产业化发展历程、技术变革及应用情况,列举了近年成熟的MRAM产品,对不同的代际MRAM的优缺点进行了剖析;对MRAM核心存储单元——磁隧道结(magnetic tunnel junction,MTJ)和外围基于互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)的读写电路的辐射效应分别进行了探讨;总结了近年来MRAM抗辐照加固设计方面的最新成果;对抗辐照MRAM在航空航天领域甚至核能领域的发展前景进行了展望。

摘要：航天电子元器件工作于真空环境时,必须格外考虑其发热及散热问题。文章对某反熔丝FPGA器件工作于真空环境时温度与功耗的关系及散热措施进行研究。通过热真空试验得到该器件不同散热措施及PCB条件下的发热及散热情况数据,并依据数据分析给出其在真空环境下的散热措施建议。该器件采用了带热沉的陶瓷四侧扁平208引脚封装(CQFP208),在此类较大尺寸封装(瓷体29.2 mm×29.2 mm)中引入大尺寸热沉(23 mm×23 mm)并应用于航天器在国内尚属首次。文章的试验结果及散热措施建议对采用相同或类似封装的电子元器件均有参考作用。

摘要：【目的】分析浙江省公益林中对杉阔混交林和阔杉混交林群落组成及其分布影响最为显著的环境因子,为亚热带杉木人工林珍贵化改造和珍贵树种保护提供合理的科学依据。【方法】采用双向指示种分析(TWINSPAN)和典范对应分析(CCA)方法,针对分布于浙江省的427个杉阔混交林和阔杉混交林样地进行物种组成及群落结构分析。【结果】杉阔混交林可划分为5类群丛,阔杉混交林可划分为6类群丛。在杉阔混交林的5类群丛中与杉木伴生的树种主要为青冈(Quercus glauca)、木荷(Schima superba)、马尾松(Pinus massoniana)和黄山松(Pinus taiwanensis)等;土壤厚度、坡向和坡度等是影响杉阔混交林群丛分布的主要环境因子。在阔杉混交林的6类群丛中,与杉木伴生的树种分别为马尾松、板栗(Castanea mollissima)、青冈、木荷、毛竹(Phyllostachys edulis)等;林龄、坡度和海拔等因素是影响阔杉混交林群落分布的主要环境因子。在杉阔混交林中,小叶青冈(Cyclobalanopsis myrsinifolia)、红楠(Machilus thunbergii)、鹅掌楸(Liriodendron chinense)、甜槠(Castanopsis eyrei)和光皮桦(Betula luminifera)等珍贵树种与杉木对生境的选择较为接近;在阔杉混交林中,甜槠、天竺桂(Cinnamomum japonicum)、小叶青冈、柳杉(Cryptomeria japonica)、苦槠(Castanopsis sclerophylla)和青冈等珍贵阔叶树种与杉木对环境的选择较为接近。【结论】选择与杉木生境接近的伴生珍贵阔叶树种进行补植改造,可以有效提高造林成活率,有利于促进杉木人工林阔叶化进程。

摘要：基于TSMC 0.5μm 2P2M CMOS高压混合信号工艺设计了一种高精度、低温度系数带隙电压基准源。为了降低温度系数,电路采用MOS器件,利用I D-V GS关系来进行二阶补偿,没有采用传统的放大器反馈模式,从而极大地简化了电路结构,同时也省去了因放大器失调所带来的困扰。电路在Cadence软件上完成设计并用Spectre进行了仿真验证。结果表明,在6 V电源电压下,电路产生的基准电压为1.2 V,在-30～130℃温度范围内温度系数为1.4×10-6(ppm)/℃,低频下电源抑制比为-60 dB,功耗为0.18 mW。

摘要：为了实现进口元器件国产化替代,采用中国电科五十八所自行研制的抗辐射百万门级反熔丝FPGA和64Mbit抗辐射SRAM设计了一套综合演示系统。系统主要功能包含触摸屏控制、图像采集、音频播放、电机控制等功能。通过系统的软硬件设计、功能调试、时序优化,阐述国产JRAX1000型反熔丝FPGA的应用经验,有助于后续此产品广泛应用时参考和借鉴。

摘要：【目的】探究林分密度和种植点空间配置对树木各器官非结构性碳水化合物(NSC)的影响,了解杨树Populus在生长季的碳代谢特征。【方法】试验林分以密度为一级因素,种植点配置为二级因素,采用嵌套设计。于‘南林95’杨P.×euramericana ‘Nanlin 95’生长季(7月)选取叶、枝、树干和粗根4个器官,测定各个器官中NSC (可溶性糖和淀粉)的质量分数。【结果】在生长季,杨树各器官中可溶性糖质量分数从大到小依次为叶、根、枝、干,淀粉质量分数从大到小依次为干、根、枝、叶。不同林分密度和种植点配置的杨树叶中可溶性糖质量分数差异极显著(P<0.01),根中可溶性糖和淀粉质量分数受种植点配置影响极显著(P<0.01),总体上枝和树干受林分密度和种植点配置影响差异不显著。尽管林分NSC总储量在2种密度间(278和400株·hm^(-2))差异不显著,但林分NSC总储量在种植点配置间差异显著(P<0.05)。【结论】在生长季,苏北地区杨树优先将碳资源供给地上部分,其中首要的储存器官是树干。一定密度范围内(278~400株·hm^(-2)),杨树叶中可溶性糖随林分密度增大而升高。林分密度相同时,正方形的种植点配置方式更有助于杨树个体对NSC的积累,促进植株生长发育,增强林分的固碳潜力。

摘要：自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM)以其非易失性、速度快、数据保持时间长等优势被认为是最有潜力的新型存储技术之一。然而,由于磁性隧道结(MTJ)的温度相关性,其隧穿磁阻率(TMR)在高温下会变低,对高可靠灵敏放大器的设计提出了更高的要求。基于2T-2MTJ存储单元,设计了一款可以工作在宽温度范围内的高灵敏度放大器。在-40~125℃的温度范围内,该灵敏放大器在TMR为50%时仍具有较高的灵敏度,保证了STT-MRAM的读可靠性。