摘要：裂解炉是喷射炉衍生出来的一种新型分子束源,它能改进外延材料的质量。本文将介绍裂解炉的设计、性能和实验结果。

摘要：在国产CBE设备上，用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs／InP应变多星子阶P-i-N结构材料，阶层中的设计In组分从0．39变化到0．68．用X射线双晶衍射对该组样品进行了测试分析，并用X射线衍射的运动学模型对衍射图样进行了计算机模拟，确定出了该组样品阶层中的In组分、阶宽及垒宽．结果表明，每个样品的DCXRD衍射图样上均至少可以看到14个锐而强的卫星峰，且模拟曲线与测得的衍射曲线符合得相当好，说明材料结构完整、具有较高的质量；样品的设计参数与计算机模拟得到的参数基本一致，说明生长过程可以很好的控制．

摘要：在分子束外延(MBE)设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料时观察了RHEED强度振荡现象。并“在位”得到GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料的生长速率和Al_xGa_(1-x)As材料的AlAs摩尔分数,即x值。

摘要：研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_1_xAs超晶格量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极。

摘要：研制了国内首台化学束外延(CBE)系统。半导体所用此系统进行了CBE实验,获得质量良好的半导体材料。本文给出该系统的设计考虑及CBE实验结果。

摘要：本文报道了金属有机源分子束外廷设备的设计方案和技术特点。该设备最大样品尺寸为3英寸,3室结构,空气闭锁换样,6条气路。