摘要：连续稳定输送物料是粉状物料输送设备最为关键的技术,各生产单位根据粉状物料的特点设计出多种给料装置。螺旋给料机具有整机截面尺寸小、密封性能好、运行平稳可靠、可中间多点装料和卸料及操作安全、维修简便等优点,因螺旋给料装置运行稳定、故障率低,经常用于粉状物料的输送。传统螺旋给料装置有一定的局限性,本文通过改进螺旋结构、扩大入口面积,使的螺旋给料装置应用范围变得更加广泛。

摘要：在带式输送机输送带更换过程中,由于整条输送带过长,需要将旧输送带多次切割。传统人工切割装置效率低、人工劳动强度大,且切割过程中会产生大量有毒气体。针对上述问题,设计了采用齿型切刀和盘型切刀的切割装置对输送带进行切割,并应用ABAQUS软件对切割过程进行动力学仿真,验证了该切割装置的可行性;应用RecurDyn软件分析了双蜗杆与单蜗轮齿面的受力情况,结果表明双蜗杆结构能有效减小齿面受力,可延长切割装置使用寿命;进行了工业性实验验证,结果表明该切割装置可快速连续作业,与传统切割方式相比效率提升了94.5%。

摘要：分布反馈半导体激光器的线宽一般较大,难以满足光纤传感等领域的要求。根据***于1982年提出的半导体激光器的线宽理论,通过适当设计DFB半导体激光器的腔长、耦合系数、微分增益、光限制因子,能有效地减小激光器的线宽。同时,空间烧孔现象也可限制DFB半导体激光器的线宽,为此需要合理设计光栅结构。在此基础上,DFB激光器的线宽能达到几十千赫兹的量级。此外,采用DBR结构或者外腔结构,也可以获得相当窄的线宽。

摘要：物联网是智能建筑向人们展现其智能的基础,而现行智能建筑物联网工程普遍采用平台化解决方案,存在系统架构复杂、资源和信息难共享等不足。本文分析比较了蜂窝物联网、短距物联网和广域物联网等三种主流物联网技术,提出了能较好满足智能建筑对物联网需求的WF-IoT技术,介绍了WF-IoT方案的系统架构、主要思路和技术亮点。结果表明:WF-IoT方案具有全无线极简架构、全自动无感智能、一键式极简智能等特点,系统的设计建设、操作使用、管理运维简单,在智能建筑物联网工程领域有极佳的推广应用前景。

摘要：利用光子轨道角动量(OAM)可以大幅度提高通信系统的频谱效率和容量,从而满足未来通信容量不断增长的需求。以InP基半导体外延材料为基础,设计了一种将分布反馈(DFB)半导体激光器与OAM光转换器件集成在一起的有源半导体OAM光束发射器,并对这种结构进行了参数设计和模型仿真。

摘要：针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设计了四层SiO2/SiNx抗反膜结构,能够在70nm的波长范围内实现低于10-4的反射率,并且当单层膜厚度变化在±5nm以内时,中心波长1550nm处的反射率低于5×10-4.根据计算结果,在F-P激光器端面进行了SiO2/SiNx多层抗反镀膜的制作.对输出光功率谱的测试分析表明,在1535—1565nm范围内的残余反射率达到了10-4量级。

摘要：设计制作了面向40Gb／s电吸收调制器（EAM）的高速微波过渡热沉，并进行了EAM管芯级封装测试的验证．这种基于氧化铝（Al2O3）的热沉采用共面波导（CPW）传输线以实现低损耗微波传送，以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配，采用Ti／Cu／Ni／Au金属材料作为CPW传输线电极材料，从而保证CPW传输线与Ta2N电阻材料之间良好的电接触，使热沉的典型反射系数在0—40GHz范围内均达到优于-21dB的水平．作为验证，采用该种热沉用于高速EAM的管芯级封装，测试得到小信号调制响应带宽超过40GHz．

摘要：面向高速行波电吸收（EA）调制器的需要，设计并制作了基于苯并环丁烯（BCB）聚合物／InP衬底的宽带（0～40GHz）、低损耗微波共面波导传输线。对共面波导结构开展仿真设计，分别对BCB材料厚度、InP衬底导电率和信号电极宽度等关键参数进行了优化。结果表明，当设计的BCB膜厚为4μm、InP衬底导电率小于0．002（Ω·cm）^-1和信号线宽度为84μm时，微波传输性能可达最优。在此基础上，采用电阻率为10^8μΩ·cm的半绝缘（SI）InP衬底、涂覆4μmBCB薄膜，制作出0～40GHz范围内微波损耗小于0．5dB／mm的共面波导传输线。

摘要：在人类的精神领域里，书籍是提高思想，丰富心灵的营养品，也被视为人类进步的阶梯、精神的食粮，书籍的存在，对社会的发展起到不可替代的作用。就是今天的网络时代，仍然无法替代书籍的存在，它是人类思想传媒的主要工具，也是科学和艺术传播的载体。

摘要：　利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制作半导体有源器件端面减反膜的方法简单易行,且适合进行大规模在片制作。采用1/4波长匹配法对减反膜的折射率、膜厚及其容差进行了理论设计,并在选定折射率下,对PECVD的沉积速率进行了测量。在此基础上,制作了1.31μmInGaAsP氧化膜条形结构超辐射发光二极管,通过测定输出光谱调制系数的方法确定出减反射膜的反射率为6.8×10-4,并且具有很好的可重复性。