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单型掺杂柱电极的3D硅像素探测器的器件与制造工艺研究
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《半导体光电》2015年 第2期36卷 197-201页
作者：明希 殷华湘 孟令款 李俊杰 贾云丛 李贞杰 袁烽 江晓山 刘鹏 陈大鹏中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院高能物理研究所北京100049 
设计了一种新的3D硅像素探测器的器件结构以简化制造工艺。该结构仅包含一种掺杂类型的柱状电极。通过工业级TCAD仿真对这种结构的电学特性进行了深入研究,阐述了它的技术优势及潜在缺陷。同时研究了制造这种3D硅像素探测器的特殊工艺...
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