摘要：液氮冲击中锑化铟红外焦平面探测器(InSb IRFPAs)的形变研究对理解探测器结构设计可靠性、预测探测器耐冲击寿命具有重要意义.在系统分析液氮冲击结束时模拟得到的InSb IRFPAs形变分布与方向的基础上,提出了降温过程中累积热应变完全弛豫的设想,升至室温后的模拟结果重现了室温下拍摄的InSb IRFPAs典型形变分布特征.经分析认为室温下拍摄的InSb IRFPAs表面屈曲变形源于底充胶固化中引入的残余应力应变,变形幅度随降温过程逐步减弱,至77 K时完全消失,升温过程则依据弹性变形规律复现典型棋盘格屈曲模式.这为后续InSb IRFPAs结构设计、优化及耐冲击寿命预测提供了理论分析基础.

摘要：液氮冲击中In Sb焦平面探测器的局部分层、局部碎裂制约着其成品率的提高。为分析液氮冲击中发生在In Sb焦平面探测器中的潜在失效模式,我们借助***提出的适用于弹性多层体系热应力计算理论,结合In Sb焦平面探测器的典型结构,忽略铟柱阵列的影响,得到了In Sb焦平面探测器中心区域热应变和热应力沿厚度方向的分布。依据热应变和热应力分布,我们认为液氮冲击中In Sb芯片和底充胶均处于拉应力状态,硅读出电路上边2/3部分处于压应力状态,下边1/3部分处于拉应力状态。整个探测器四角往上翘曲,中心区域往下凸起。这些计算结果为后续探测器组件封装中平衡复合物结构的设计提供了理论参考。

摘要：以喹啉醛与芳胺化合物的不对称还原胺化为关键步骤,设计合成了一类C_(1)-对称且兼具手性并环与大位阻N-取代基两种优势结构单元的手性氮杂环卡宾配体.进一步以钯催化的分子内α-芳基化反应和铜催化的功能化烯烃质子硼化反应为模型反应,详细研究了该类配体的结构与催化性能的关系,发现四氢喹啉骨架上的8-位取代基以及大位阻手性N-取代基均对提升配体的手性诱导能力具有重要作用.

摘要：提出了一种采用响应曲面(RSM)协同优化压控振荡器(VCO)的功耗、相位噪声的方法。以差分耦合LC-VCO电路为实验设计对象,在电路结构上增加级联交叉耦合负阻管结合外部电流镜偏置,改进了相位噪声和功耗性能。在此基础上,建立VCO性能的响应曲面模型,优化并选取最佳电路设计参数的组合,获取最佳性能。基于TSMC CMOS 65nm、1.8VRF工艺的实验结果表明,优化后的VCO各项性能指标均显著提升。该VCO的调谐范围达2.377GHz~2.583 GHz,即206MHz,相位噪声为-113.44dBc/Hz@1MHz,功耗低至0.66mW,FoM值达184.27 dBc/Hz。该LS频段VCO适用于WiFi、物联网等无线通信中射频收发集成电路。

摘要：在液氮冲击实验中,锑化铟红外焦平面阵列探测器中各层材料之间线膨胀系数的不同将导致热失配产生,过大的热失配应力将引起锑化铟芯片断裂失效。为了降低热失配对锑化铟芯片的影响,基于弹性多层体系热应力计算理论,借鉴平衡复合物结构设计方法,优化平衡复合物结构上表面的热应变,使得平衡复合物结构中硅读出电路上表面的热应变尽可能接近锑化铟芯片下表面的热应变,从而大幅降低锑化铟芯片中的热应力。考虑器件加工工艺成熟度,经一系列计算表明:当硅读出电路的厚度取25μm时,平衡复合物结构中硅读出电路上表面的热应变与InSb芯片下表面的热应变最为接近,此时锑化铟芯片中的拉应力最小。锑化铟芯片中拉应力的大幅降低,将为消减液氮冲击中锑化铟芯片的碎裂几率提供可以信赖的结构设计方案和实现途径。

摘要：热冲击下红外焦平面探测器的高碎裂概率制约着其成品率.为明晰碎裂机理,基于等效设想,利用小面阵等效大面阵解决了128×128面阵探测器三维结构建模所需单元数过多的问题,同时综合考虑材料线膨胀系数的温度依赖性、材料强度的各向异性、表面加工损伤效应,合理选取InSb材料性能参数,建立起128×128面阵探测器结构有限元分析模型.模拟结果表明:热冲击下最大Von Mises应力值出现在N电极区域,其极值呈非连续分布,这意味着热冲击下128×128面阵探测器的裂纹起源于N电极区域,且不止一条.上述结论与碎裂统计分析报告中典型裂纹起源地及裂纹分布这两方面相符合,这为后续面阵探测器碎裂诱因的研究及结构可靠性设计提供了切实可行的研究思路.

摘要：提出了一种双周期性BST电容加载共面波导传输线的移相器结构。基于这种结构设计制作的铁电薄膜移相器较好地解决了整个电路的阻抗匹配问题，其反射损耗的波纹在较宽的工作频带内趋于同一幅度．在沉积有钛酸锶钡（BST）薄膜的氧化镁基片上设计并制作了一个宽带双周期性BST又指电容力口载共面波导移相器，测试结果显示该移相器的反射损耗在0-15GHz内保持在-15dB，其中在14．5GHz处，在30V的外加偏压下其移相能力可达35°。

摘要：模拟集成电路中器件的设计参数与性能指标具有非线性映射关系,同时繁复的设计参数相互制约,使模拟IC满足应用约束下的折中设计极为复杂,电路研发耗时费力。基于自适应学习的神经网络算法能够建立具有非线性映射关系的预测模型,同时具有宽解空间和易获取全局最优解的遗传算法可进一步弥补建模和求解的精度。采用BP神经网络结合遗传算法(GABP)的复合优化框架对CMOS电压自举采样开关的设计参数和性能指标进行精准建模并优化整体电路性能,建模结果与单BP神经网络模型进行了对比,结果表明,GABP复合建模精度高于BP神经网络,拟合相关度从0.73007有效提升到0.94596,模型可靠性有大幅提高,证明了GABP复合优化可有效应用于电路性能的高效预测和辅助优化设计。

摘要：该文提出了一种频率为2.4 GHz的低功耗低相位噪声的改进型电容电感型压控振荡器(LC-VCO)。采用有源金属氧化物半导体(MOS)晶体管取代电阻和电容以优化电路结构,有效减小版图面积和功耗,同时抑制无源器件引起电路精度的恶化,提升VCO综合性能。基于TSMC 65 nm/1.8 V CMOS工艺进行电路设计和仿真,结合理论建模和小信号等效电路分析,调试关键MOS器件参数。结果表明,改进后的VCO的调谐范围从2.365~2.506 GHz,调谐带宽为141 MHz,-127.272 dBc/Hz@1 MHz的相位噪声,1.8 V电源电压下功耗低至1.323 mW,综合优值高达-193.84 dBc·Hz-1,优于多数同频段同类型的压控振荡器。

摘要：提出了一种基于共面传输线结构的新型带阻滤波器,利用该结构在沉积有钛酸锶钡(BST—0.5)薄膜的氧化镁基片上设计并制作了一个可调带阻滤波器。测试结果表明,在30V的外加偏压下,带阻滤波器的传输特性曲线向高频方向整体移动了190MHz,其形状基本保持不变。