摘要：用正电子湮没技术研究了生长态、总注入量分别为５．８×１０￣（１６）和３．６×１０￣（１７）ｃｍ￣（－２）的中子辐照氩气氛区熔单晶硅中空位型缺陷的退火行为，发现未辐照单晶硅在从室温到高温的退火过程中始终存在着分量强度为１０％～１８％的单空位型缺陷；低注入量中子辐照的主要缺陷是单空位型，较高注入量中子辐照时单空位和双空位型缺陷浓度均较高。

摘要：用正电子湮没寿命和多普勒加宽测量研究了不同注量中子辐照的氩气氛区熔单晶硅中缺陷的退火行为，发现不同中子注量辐照时，辐照致空位型缺陷的退火行为十分类似，并均在５５０℃时退火消除；但辐照致双空位浓度、二次双空位和四空位型缺陷的产生、浓度和消除温度很不相同。简单陷阱模型不适用于５００℃以下退火的高中子注量辐照的单晶硅，但能部分适用于中等注量辐照的单晶硅。

摘要：中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征左开芬张纯孟祥提苏庆善陆余发（清华大学核能技术设计研究院１０００８４）关键词：中子辐照直拉单晶硅正电子淹没点缺陷（一）前言因为正电子对物质中电子状态具有极端敏感性，正电子淹没技术（ＰＡＴ）已成为研究材料中微观缺陷的有...

摘要：研究了 1 MeV 不同剂量电子辐照前后 SiGe 异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与 Si 双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后 SiGe HBT 的 IB基本不变,IC和β 都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β 都减小。对 Si BJT 而言,IB和 IC与在相同辐照剂量辐照后的 SiGe HBT 相比都增大很多,β 下降幅度也很大。这说明 SiGe HBT 具有比 Si BJT 更好的抗辐照性能。对电子辐照后器件电学性能的变化机制进行了初步分析。

摘要：氧相关缺陷是中子和电子辐照Si中的重要缺陷。虽然对这些缺陷已经研究很多 ,如对空位 -氧 (V 0 )复合体即A中心已有大量研究报告发表 ,但是因为所用的材料、辐照通量、测量方法及测量仪器的精度不同 ,所报道的A中心的能级和退火行为特征包括退火温度不一致。由此 ,对氧相关缺陷的研究仍然是一个引人注目的课题。本文报告了这方面研究的一些新进展。中子辐照CZSi中有 82 8cm 1红外 (IR)峰 (A中心 ) ,2 0 0～ 30 0℃退火后强度增加 ,然后强度急剧下降 ,4 0 0℃后稳定 ,550℃退火消失。已将 2 0 0～ 30 0℃强度的增加归于X1中心的聚集 ,它与杂质 -缺陷团相关。 82 8cm 1IR峰在高于 4 0 0℃的稳定已归于无序区或大缺陷附近陷阱大量的A中心 ,这引起较大的结合能。我们的IR测量曾表明 ,在 6× 10 17中子 /cm2 (镉比为 12 .4 )辐照态CZSi中 ,82 9cm 1IR峰强度很大 ,～ 2 0 0℃退火后强度增加 ,350℃退火后强度急剧下降 ,～ 6 0 0℃退火消失。用正电子湮没技术测量了低温和室温不同电子通量辐照Si中的缺陷 ,发现一直存在着浅正电子陷阱 ,它在电子辐照CZSi中比在电子辐照FZSi中的浓度高 ,由此得出它含有 0 ,可能是辐照致A中心。辐照缺陷可以陷阱高浓度自由载流子 ,电阻率增加。已经用快中子辐照和IR技术测量确定?

摘要：比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级。表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释。

摘要：以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小；但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于１．９ｅＶ，随硅在溅射靶中面积比增加，发光峰有很小的红移，其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量．以上实验结果与量子限制模型矛盾，却可用量子限制－发光中心模型解释．