摘要：以实际工程为依托,采用有限元数值分析方法,对桩锚支护结构后侧土体局部地基处理后的土压力分布特征进行反演分析,研究地表荷载、航道开挖深度、软土地基置换率、地基处理宽度、深度对支护结构后侧土压力分布特征的影响。结果表明,通过对堤岸侧土体进行地基处理,不仅改变了原有地层土压力的分布特征,而且可有效减小地基处理范围内的土压力值。所得结论对软土堤岸工程的支护设计具有重要的参考价值。

摘要：针对工业机器人传统示教方式存在示教难、示教慢的问题,基于双目视觉提出构建机器人快速示教系统。该系统将双目视觉模块固接在机器人末端工具上,减小示教范围限制;设计出一种带有特征板和位姿测量杆件的手持示教装置,用于对设定点进行快速位姿示教;采用最小二乘法实现特征板到位姿测量杆件末端的平移参数标定。该系统通过双目视觉模块采集手持示教装置特征板图像,并进行图像处理获得末端点的位姿信息;将该位姿信息转换到机器人基坐标系下,实现机器人示教再现。搭建川崎RS010NA六自由度工业机器人的双目视觉快速示教系统,进行空间25点的示教复现测试,机器人示教复现位置平均误差为2.427 mm;采用移动示教后,平均位置误差下降25.3%;测试结果表明该系统具备可行性,且移动示教可以提高示教复现精度。

摘要：针对弹药库房危险性高、易受雷击等特点,笔者通过实地勘测,合理计算,科学地设计了直击雷、感应雷、雷电波侵入、静电等防护措施,并制定了具体的实施方案,对仓库的安全工作有一定的技术指导和借鉴作用。

摘要：本文根据城市道路交通建设管理方面存在的问题,分析城市道路交通规划、设计、建设与管理一体化的优势,提出一体化工作的技术内容,并给出一体化工作的发展对策,争取为解决城市交通拥堵问题提供正确思路。

摘要：杨房沟水电站两岸边坡陡峻,地面开关站、出线场布置位置及尺寸受限,通过高压配电装置型式选择、高压引出线设备选择以及开关站布置方案比选,进行经济技术综合比较,确定开关站布置方案以及相关电气设备的布置及选型。

摘要：为满足工程教育认证的要求,以学生能力培养为宗旨,对土木工程材料课程实施一系列教学改革,主要包括:课堂教学改革为层次递进的模块化梯度教学;课程试验改革为开放性的设计型、综合型、生产型试验,并将关联度较高的多门专业课试验融合贯通;设立社会调研实践环节,加深对学生知识、专业能力和工程素养的培养,满足现代企业对复合型、应用型人才的要求。

摘要：针对目前常用的涡流测量仪单机只能获取单一参数(磁导率或电导率),并通过单一参数来分析导体内部特性的涡流检测方法,提出了能够同时获得圆柱导体双参数(相对磁导率μr和电导率σ)的涡流检测方法。通过引用通用函数M,根据欧姆定理和圆柱形导体的磁场渗透公式建立了数学模型,并设计了相应的绝对式涡流传感器及其检测方法。经实验验证,双参数涡流检测方法可用于各种金属和非金属圆柱体导电材料的质量控制中。

摘要：【目的】探究果园主要喷雾机械雾滴粒径及压力与农药冠层分布的关联,为果园主要喷雾机械的设计、果农对喷雾机械的选择和使用提供技术参考。【方法】选取目前果园最常用的担架柱塞泵式机动喷雾机和自走传统轴流风送喷雾机为研究对象,分析了两种喷雾机械在不同孔径、压力下的雾滴粒径,并测试了雾滴在果园中的冠层沉积分布参数,同时比较了两种喷雾机械的地面流失率与有效沉积率。【结果】1)两种喷雾机械喷出的雾滴粒径均随孔径的减小和压力的增大而减小。当压力增至2 MPa时,担架柱塞泵式机动喷雾机喷出的雾滴粒径受压力的影响明显减小。2)两种喷雾机械的雾滴沉积分布,均为冠层外侧沉积高于内侧,其中担架柱塞泵式机动喷雾机的冠层中部雾滴沉积量最高,下部次之,顶部最低。区别于担架柱塞泵式机动喷雾机,自走传统轴流风送喷雾机雾滴沉积量最高的区域为冠层下部,中部次之。3)两种喷雾机械喷孔直径减小,降低雾滴粒径,提高有效沉积率,并降低地面流失率,但自走传统轴流风送喷雾机中雾滴粒径的减小对地面流失率的影响有限。4)在乔化稀植果园中,担架柱塞泵式机动喷雾机,孔径为0.7 mm时地面流失率最小,为22.04%,有效沉积率最大,为45.92%。自走传统轴流风送喷雾机,当孔径为0.5 mm时有效沉积率最大,为35.30%。【结论】两种喷雾机械在冠层上的流失途径不同,担架柱塞泵式机动喷雾机的冠层流失源于所喷药液在叶片的沉积量超过叶片最大持留量,进而导致药液滚落。而自走传统轴流风送喷雾机的冠层流失源于缺少变量喷雾技术而导致无效喷药量的产生。基于两种喷雾机械的流失特点进行针对性改进,可以大幅提高其有效沉积率,减少农药的施用量。

摘要：氡射气测量及地气测量是一种探测隐伏断裂的存在、位置、走向和倾向的行之有效的手段,通过在某水电站深厚覆盖层中使用氡射气测量及地气测量,推测出在覆盖层下发育一条规模不大的隐伏断裂。

摘要：电源电压的变化是影响带隙基准电路稳定性的主要因素之一。本文针对该问题,在采用深度负反馈环路的基础上,增加了一种提高电源电压抑制比的电路结构来降低电源变化对基准的影响。该电路采用BiCMOS工艺设计,同时具有良好的温度性能。文中给出了详细的分析和电路实现。该电路通过Hspice验证,温度系数仅为5.7ppm/℃。