摘要：依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变SiNMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方法同样适用于应变Si其他晶面任意方向电子迁移率的计算,为应变Si器件、电路的设计提供了一定的设计依据.

摘要：设计了数字式位置敏感探测器(PSD)信号采集和处理系统,在现场可编程(逻辑)门阵列(FP-GA)中用数字算法代替加法器、减法器、除法器等模拟运算电路,实现了对PSD信号的处理,从根本上消除模拟器件带来的干扰信号影响,提高了信噪比。经实验验证,测量精度有所提高。

摘要：在倾斜轨道上下山上部为平车场时,矿山调度绞车提升易发生车辆跑车事故。对平车场手动机械联动挡车设施进行了科学改造。介绍了气动联动挡车设施设计原理及现场使用情况。现场应用表明,该装置提高了挡车设施的自动化水平,为矿井安全提升提供了保障。