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低能电子在外层导电屏蔽的玻璃锥管中的传输: 收藏
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引用; 《物理学报》2017年第12期66卷 107-114页; 作者：钱立冰李鹏飞靳博靳定坤宋光银张琦魏龙牛犇万成亮周春林 Arnold Milenko Müller Max Dobeli 宋张勇杨治虎 Reinhold Schuch 张红强陈熙萌兰州大学核科学与技术学院兰州730000 中国核动力研究设计院成都610005 ETH Swiss Federal Institute of Technology 中国科学院近代物理研究所兰州730000 Physics Department Stockholm University; 采用新的具有常数锥角的玻璃锥管,并对玻璃锥管进行了外表面导电屏蔽,通过对电子穿越玻璃锥管的二维角分布随时间演化的观测,研究了低能电子与玻璃管相互作用的机制.发现电子穿越完全放电的玻璃锥管时穿透率先下降后平稳,整个过程中角...; 采用新的具有常数锥角的玻璃锥管,并对玻璃锥管进行了外表面导电屏蔽,通过对电子穿越玻璃锥管的二维角分布随时间演化的观测,研究了低能电子与玻璃管相互作用的机制.发现电子穿越完全放电的玻璃锥管时穿透率先下降后平稳,整个过程中角分布中心发生微小移动,但角分布的半高宽几乎保持不变.这与我们之前发表的工作(2016 Acta ***.65 204103)不同,这是由于对玻璃锥管进行外表面导电屏蔽会阻止外界不确定的快速充放电的影响,并形成了新的稳定放电通道,有利于实现电子的稳定穿透.电子的穿透率随倾角呈类似矩形的分布,透射电子的角分布中心伴随倾角的变化而移动,其穿透所容许的倾角与几何穿透一致.; 来源：详细信息评论

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