摘要：基于k·p微扰理论框架,研究建立了单轴张/压应变Si,Si基双轴应变p型金属氧化物半导体(PMOS)反型层空穴量子化有效质量与空穴面内电导率有效质量模型.结果表明:对于单轴应力PMOS,选择单轴压应力可有效增强器件的性能;同等增强PMOS空穴迁移率,需要施加的单轴力强度小于双轴力的强度;在选择双轴应力增强器件性能时,应优先选择应变Si1-x Ge x作为沟道材料.所获得的量化理论结论可为Si基及其他应变器件的物理理解及设计提供重要理论参考.

摘要：基于RBF神经网络的设计难点提出了一种动态确定隐含层节点数及数据中心的新方法,即动态最近邻聚类算法,消除了现有算法中人为因素对数据中心的影响。所设计的神经网络具有最少的隐含层节点数,结构简单,提高了网络学习训练速度,基于动态RBF神经网络建立了MH-Ni电池容量预测模型,通过仿真,取得了理想的结果,为MH-Ni电池容量预测提供了新方法。

摘要：从分析泥沙淤积的客观规律出发 ,根据设计经验和实际工程的教训 ,针对低含沙量海水泵房设计 ,提出在资料收集 ,科研试验 ,系统设计 ,设备设计 ,泵房布置 ,泥沙监测 ,泥沙清淤等方面需注意的要点。以利于更好地把握此类泵房的设计 。

摘要：着重从水塔的布置和使用方面介绍了水塔设计中所需考虑的问题 ,包括分格作用、清洗水源。

摘要：Ge为间接带隙半导体,通过改性技术可以转换为准直接或者直接带隙半导体.准/直接带隙改性Ge半导体载流子辐射复合效率高,应用于光器件发光效率高;同时,准/直接带隙改性Ge半导体载流子迁移率显著高于Si半导体载流子迁移率,应用于电子器件工作速度快、频率特性好.综合以上原因,准/直接带隙改性Ge具备了单片同层光电集成的应用潜力.能带结构是准/直接带隙改性Ge材料实现单片同层光电集成的理论基础之一,目前该方面的工作仍存在不足.针对该问题,本文主要开展了以下三方面工作:1)揭示了不同改性条件下Ge材料带隙类型转化规律,完善了间接转直接带隙Ge实现方法的相关理论; 2)研究建立了准/直接带隙改性Ge的能带E-k模型,据此所获相关结论可为发光二极管、激光器件仿真模型提供关键参数; 3)提出了准/直接带隙改性Ge的带隙调制方案,为准/直接带隙改性Ge单片同层光电集成的实现提供了理论参考.本文的研究结果量化,可为准/直接带隙改性Ge材料物理的理解,以及Ge基光互连中发光器件有源层研究设计提供重要理论依据.

摘要：日本中小企业的融资体系结构合理 ,功能全面 ,且有全面的法律保障。体系的设计和建设主要通过政府的策划而不是通过市场自发形成 ,这对我国具有参考意义。

摘要：本文结合郑州院多年的设计实践，对煤矿消防给水系统几种类型的选择进行了分析，并对该系统设计中应注意的几个问题提出了自己的看法。

摘要：针对分水岭算法的过分割问题,设计了一种结合标记分水岭和区域合并的彩色图像分割算法.算法首先根据梯度图像局部极小值的综合信息自适应提取标记,在标记的基础上进行分水岭变换获得初始分割结果;然后结合人眼对区域相似性的实际感知定义了融合颜色距离、方差和边缘信息的综合距离度量,通过综合距离度量控制区域进行快速合并得到高级分割结果.仿真结果表明,新设计的算法能够有效抑制过分割,获得更小的局部一致性错分率,与人工标注的分割结果更为接近.

摘要：结合滚动轴承的振动特性，根据高聚物复合材料的应变－应力迟滞响应，对钢和高聚物复合材料夹层结构进行了减振降噪分析，文中还给出了振动测试的结果，从而进一步证实了这种结构具有较强的减振降噪能力，为在工程中的设计应用提供了理论依据。国内外文献中未见以钢和高聚物夹层结构作滚动轴承外圈的报道。

摘要：论述钢结构深化设计工作在当前市场中所面临的挑战与应对之策,同时也介绍从AUTOCAD到Tekla Structures等行业内多种优秀软件对深化设计所起的推动作用以及通过比较如何综合运用各种软件工具更好的为深化设计服务。