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基于SOI的光电探测器设计与单片集成技术研究: 收藏
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引用; 《电子与封装》2021年第8期21卷 59-64页; 作者：宋鹏汉张有润甄少伟周万礼汪煜电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 中科芯集成电路有限公司江苏无锡214072; 设计了一种基于SOI材料制作的兼顾响应度和带宽的光电探测器,该光电探测器采用标准0.18μm CMOS工艺,与现有工艺完全兼容,同时易于单片集成。利用Silvaco对该光电探测器进行了仿真,并对仿真结果进行分析。分析了光电探测器响应度和带宽...; 设计了一种基于SOI材料制作的兼顾响应度和带宽的光电探测器,该光电探测器采用标准0.18μm CMOS工艺,与现有工艺完全兼容,同时易于单片集成。利用Silvaco对该光电探测器进行了仿真,并对仿真结果进行分析。分析了光电探测器响应度和带宽的影响因素,通过控制吸收层厚度、离子注入深度等工艺步骤,结合器件特性设计优化深N阱结构,实现了高响应度高带宽的光电探测器。在5 V反向偏置的条件下,基于SOI的光电探测器在850 nm波长下实现了0.33 A/W的响应度,-3 dB带宽为120 MHz。研究结果对高速应用场景下的光电探测器的发展具有重要意义。; 来源：详细信息评论

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