摘要：在研制多功能集成压力传感器过程中,对关键材料多晶硅来说,制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了沉积温度、反应气体流量和反应室工作压力对多晶硅的沉积速率、晶粒大小和表面粗糙度的影响程度。设计出正交试验,以优化出不同性能要求的多晶硅制备工艺参数。

摘要：通过对热膜式流量传感器中敏感薄膜电阻制备技术的研究,分别介绍了流量传感器中敏感薄膜电阻设计的基本原理、敏感薄膜生长方法及一些具体应用实例。分析了影响薄膜黏附性和内应力的工艺因素,提高了敏感薄膜电阻的温度系数,制作出了具有良好稳定性和一致性的敏感薄膜电阻,满足流量传感器的使用要求。使流量传感器重复性可达±1%,该制备方法适用于热膜式流量传感器的小批量生产。

摘要：针对压力传感系统高温条件下无法稳定工作、性能下降等问题,设计了一种基于SOI CMOS高温工艺的压力传感器专用集成电路(ASIC),主要由零温度系数恒流源、仪表运算放大器(由恒定跨导运放组成)和零温度系数电压基准组成,具有为压力传感器供电、放大输出信号及调节零点的功能,重点介绍了零温度系数恒流源、仪表运放及组成仪表运放的运算放大器等相关电路。仿真结果表明,-55~225℃温度范围内,恒流源温度系数为109ppm/℃,运算放大器输入MOS管跨导几乎与温度无关,仪表运放输入输出电压成正比且共模抑制比高达125 d B。测试结果显示该压力传感器专用集成电路可在225℃下正常工作。

摘要：微电子技术的日益普及和应用,传感器已经深入到人类生活的各个领域。因此对传感器的性能、数量及用途提出了新的需求。本文简要总结了SnO2气体传感器其优缺点,并对各种修饰、改善SnO2薄膜气体传感器性能的方法进行了归纳。

摘要：传感器属于信息技术的前沿尖端产品,尤其是温度传感器被广泛用于工农业生产、科学研究和生活等领域,数量高居各种传感器之首。半导体传感器是利用某些半导体的电阻随温度变化而变化的特性制成的。半导体具有很宽的温度反应特性,各种半导体的温度反应区段不同。